化学气相沉积法制备石墨烯的铜衬底预处理研究-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 17 (2014) 176801 化学气相沉积法制备石墨烯的铜衬底预处理研究 王浪 冯伟 杨连乔 张建华 1)(上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072) 2)(上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072) ( 2014 年3 月15 日收到; 2014 年4 月29 日收到修改稿) 铜作为一种在化学气相沉积法制备石墨烯中被广泛采用的衬底材料, 其表面形貌和质量对石墨烯的品质 有较大的影响. 提出了一种简单有效的铜衬底预处理方法, 在生长石墨烯前, 将铜衬底在浓度为1 mol/L 的硝 酸铁水溶液中进行预刻蚀, 研究了不同刻蚀时间的影响. 发现当预刻蚀时间为90 s 时, 经石墨烯生长后得到 了相对平整且无杂质颗粒的表面; 与盐酸预刻蚀及电化学抛光方法进行了比较, 实验结果表明, 硝酸铁溶液预 刻蚀的效果优于盐酸处理, 可与电化学抛光效果比拟, 且操作更为简单快捷. 经过不同型号铜衬底实验验证, 此方法具有普遍适用性. 关键词: 石墨烯, 铜, 预处理, 化学气相沉积 PACS: 68.37.Hk, 68.65.Pq, 82.33.Ya DOI: 10.7498/aps.63.176801 为生长衬底, 铜箔的表面形貌和质量很大程度上决 1 引 言 定了所制备石墨烯的品质, 生长参数的优化并不能 完全消除其影响, 且商用铜箔不同批次之间的质量 石墨烯是一种由碳原子构成的二维晶体, 自 也有一定差异, 故有必要对铜箔进行预处理, 以改 2004 年被发现以来1 , 由于其独特的理化性能而 善其表面质量. 目前常用的铜衬底的预处理方法 2 引起了广泛关注, 已被应用于包括高速器件 、透 19 18 主要为电化学抛光法 , 也见化学机械抛光法 . 34 5 明导电 、能量存储 等多个领域. 目前, 石墨 但都存在需要特定设备, 操作不够简便等缺点. 针 16 烯的主要制备方法包括机械剥离法 、氧化还原 对以上问题, 本文提出了一种快速有效的铜箔预处 78 9 法 , SiC 外延法 、化学气相沉积(chemical va- 理方法, 通过在石墨烯生长前对所用铜箔进行硝酸 por deposition, CVD) 法1011 等. 其中, CVD 法可 铁水溶液的刻蚀, 在去除表面杂质层的同时, 改善 以制备出高质量、大面积且均匀的石墨烯, 能够满 了铜箔的表面形貌, 提升了所得石墨烯的质量. 足多数应用的要求, 被认为是最有前景的一种石墨 烯制备方法. 在CVD 法制备石墨烯中, 有多种衬底可供选 2 实 验 12 13 14 15 10 择, 包括镍 , 铂 , 铷 ,