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晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 第 13 章 半导体器件的物理机理 13.1 半导体基础知识 13.1.1 本征半导体 共价键是一种相对稳定的结构，外圈的价电子难以撼动。 微乎其微的自由电子或空穴存在，只有在温度上升热激发下才有 可能导电。因此，本征半导体（纯半导体）是几乎不导电的。 导电因子 电子、空穴 13.1.2 杂质半导体 4+5=8+1 N型半导体 由于本征半导体缺乏 导电因子，故通过掺 杂可以改善导电问题。 4+3=8-1 P型半导体 13.1.3 PN结 多子：多数载流子，在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子； 少子：少数载流子，在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 扩散：多子移动，浓度差作用； 漂移：少子移动，内电场作用。 没有偏置的PN结 内电场阻止多子移动、少子漂移， 此时多子扩散、少子漂移达到了 动态平衡。硅PN结Vbo=0.5~0.6V， 锗型PN结 Vbo=0.2~0.3V 。 外电场克服内电场，使多子 能够穿过空间电荷区导电。 导通点 击穿点 导通电压：硅管0.5~0.6V，锗管0.2~0.3V； 反向漏电流：硅管很小，锗管较大。 主要指标： 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 温度的 电压当量 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 13.3 双极性晶体管 放大状态下： 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 双极型晶体管两个PN结电压偏置与 工作状态 发射极正偏，集电极反偏：放大 发射极正偏，集电极正偏：饱和 发射极反偏，集电极反偏：截止 发射极反偏，集电极正偏：倒置 13.3.1 晶体管工作原理 13.3.3 晶体管的主要参数 13.3.4 温度对晶体管的影响 因集电极反偏，存在穿透电流ICBO及ICEO，它们是正温敏参数。 硅管ICBO及ICEO较小，锗管ICBO及ICEO较大，较易被击穿。 正温敏参数还有β。负温敏参数VBE(ON) 。 13.3.5 rbe 的近似表达式 13.4 场效应管 13.4.1 结型场效应管 第13章 小结 半导体材料主要有硅和锗两种，它们都是四价的元素，纯半导体或者称为本征半导体几乎是不导电的。 2. 在掺杂了3价和5价的元素后，硅和锗才能导电，但是必须在 同一材料上制成了PN结后，半导体材料才能实际应用。 3. PN结具有单向导电性，同时还有反向击穿性、温敏特性、光 敏特性，利用不同的特性，可以制作出稳压管、发光管等。 3. 双极性晶体管有两种载流子同时导电，有NPN型和PNP型。 其中发射区掺杂浓度高—便于发射载流子，基区很薄— 便于 载流子穿透，集电区很厚— 便于收集载流子。 4. 场效应管只有一种载流子导电，他们分别是通过N沟道、P沟 道导电，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管则有 增强型和耗尽型两种。管脚为漏、源、栅、衬底(结型无)。