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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * TEM in XMU TEM figures LEO-SEM in XMU ZnO纳米材料 by SEM 化学方法生长的ZnO纳米阵列 100000x ?倾斜35度 图象来源:中国科学院电子显微镜重点实验室 PL system PL versus Si doping of GaN Bio-rad hall system Hall effect plot of AlN, Mobility DLTS DLTS of AlGaAs:Sn DLTS spectra of AlxGa1-xAs (x = 0.26, 0.53). 5. 特殊材料器件 第一代: Si 材料器件 第二代: GaAs, InP 化合物半导体 第三代: GaN 第四代: ZnO etc Si in IC GaN发光LED 6. 器件应用工艺 器件结构和器件工艺 保护器件及其与外部相连接的封装工艺 特殊器件: LED、LD LED UV-ZnO laser diode PC board 教材1 微电子制造科学原理与工程技术 ISBN: 7-5053-8313-2 电子工业出版社 [美] Stephen A. Campbell 著 曾莹等译 本书系统地介绍了微电子