微电子学概论 8.pptVIP

第 四 章 集成电路制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路制造工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 图形转换第一步：光刻 光刻:通过曝光将掩膜版上的图形转移 到光刻胶上去的过程 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定显影溶液中的溶解特性改变 几种常见的曝光方法 接触式曝光：设备简单，分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。图形缺陷多，成品率低。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，图形缺陷少；衍射效应严重，使分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 超细线条光刻技术 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻 X射线 离子束光刻 图形转换第二步：刻蚀(腐蚀) 干法刻蚀 干法刻蚀 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀,刻蚀速度更快。