第7次课——第3章 门电路.ppt

一、 双极型三极管的结构（自学） 3.5.1 双极型三极管的开关特性 3.5 TTL门电路 二、 双极型三极管的输入特性和输出特性（自学） 三、 双极型三极管的基本开关电路 图3.5.1 晶体三极管开关电路 三极管 替代开关 稳态时若合理选择电路的参数，即 当vI=VIH, 为高电平时, 使得iBIBS=VCC /βRC，三极管处于饱和导通状态，输出vo＝ VOL ＝Vces≈0,为低电平； 图3.5.1 晶体三极管开关电路 T 当vI=VILVON(死区电压），为低电平时，使得三极管处于截止状态，输出vo＝ VOH≈VCC,为高电平. 其中： 硅管为0.3V, 锗管为0.1V 很小，为几十欧姆 三极管开关状态下的等效电路如图3.5.6所示. 四、双极型三极管的开关等效电路 当三极管截止时，发射结反偏，iC≈0 ，相当开关断开； 当三极管饱和时，发射结正偏，vCE＝VCE（sat）≈0 ，相当开关闭合。 截止 饱和 饱和时的等效电路 图3.5.6 阻值很小，忽略 五、双极型三极管的动态开关特性 在动态情况下，三极管在截止和饱和导通两种状态迅速转换时，三极管内部电荷的建立与消失都需要一定的时间，故集电极电流的变化要滞后于输入电压的变化。 即在开关电路中，输出电压的变化滞后于输入电压的变化，如图3.5.7所示。 图3.5.7 六 、三极管反相器 三极管反相器就是三极管的开关电路，如图3.5.8所示. 图3.5.8 三极管反相器 只要参数选择合理，即当vI=VIL时，T截止，输出vO=VOH为高电平；当vI=VIH时，T饱和导通，输出vO=VOL为低电平，则Y＝A? 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL—Transistor-Transistor Logic(三极管－三极管逻辑），TTL逻辑门就是由双极型晶体三极管构成的逻辑门电路。 TTL逻辑器件分成54系列和74系列两大类，其电路结构、逻辑功能和电气参数完全相同。 一、电路结构 其电路如图3.5.9所示，它是由T1、 R1和D1组成输入级、由 T2、R2和R3组成倒相级、由T4、T5、R4、D2组成推拉式输出级构成的。 图3.5.9 TTL反相器的电路 设:VCC＝5V, VIH＝3.4V, VIL＝0.2V，PN结的导通压降为 VON＝0.7V ①当vI＝VIL＝0.2V时 T1导通 T2截止 T4导通 T5截止 D2导通 vo＝VOH ≈VCC －IC2R2－2VON ≈3.4V 输出为高电平 图3.5.9 TTL反相器的电路 0.9V 3.4V 0.2V ②当vI＝VIH＝3.4V时 T1截止 T2导通 T4截止 T5导通 D2截止 vo＝VOL≈VCE（sat） ≈0.2V 输出为低电平 图3.5.9 TTL反相器的电路 2.1V 0.2V 3.4V 则输出和输入的逻辑关系为 特点： ① T1处于“倒置”状态，其 电流放大系数远远小于1。 ② 推拉式输出结构。 由T4和T5构成TTL反相器推拉式输出，在输出为高电平时， T4导通，T5截止；在输出为低电平时， T4截止，T5导通。 由于T4和T5总有一个导通，一个截止，这样就降低输出级的功耗，提高带负载能力。 当输出为高电平时：其输出阻抗低，具有很强的带负载能力，可提供5mA的输出电流。 当输出为低电平时：其输出阻抗小于100Ω,可灌入电流14mA，也有较强的驱动能力。 ③二极管D1是输入级的钳位二极管，作用：a.抑制负脉冲干扰；b.保护T1发射极，防止输入为负电压时，电流过大，它可允许最大电流为20mA。 二、电压传输特性 TTL反相器输出电压随输入电压变化的曲线，称为电压传输特性。 图3.5.10 TTL反相器的电压传输特性 a. AB段： b. BC段： c. CD段： d. DE段： 图3.5.10 TTL反相器的电压 传输特性 三、输入噪声容限 从电压传输特性看，当输入电压vI偏离正常低电平（0.2V）升高，在一定范围内，输出高电平并不立刻改变。同样当输入电压偏离正常高电平(3.4V)降低，在一定范围内，输出低电平并不立刻改变 图3.5.10 TTL反相器的电 压传输特性 在保证输出高、低电平基本不变（或者说变化大小不超出允许范围）的条件下，输入电平的允许波动的范围称为输入端抗干扰容限（噪声容限）。分为输入为高电平噪声容限VNH和输入为低电平噪声容限VNL。 计算方法与CMOS电路一样，如图3.5.11所示，其输入高电平噪声容限VNH和输入低电平噪声容限VNL的计算方法为 图3.5.11 TTL反相器噪声容限的计算 作