第七章-外延.ppt

第七章 外延;;硅片上外延生长硅;优点： 晶体结构良好、性能优越 掺入的杂质浓度易控制 可形成接近突变p—n结（不存在杂质相互补偿） 外延分类:气相外延(VPE)－－常用，一般高温：1050～1250℃ 液相外延(LPE)－－Ⅲ Ⅴ . 固相外延(SPE)－－熔融再结晶 . 主要作用：(1)避免闩锁效应，减小漏电流； （2）避免硅中SiOx的沉积； （3）硅表面更光滑、损伤最小； ;根据材料的异同分为：;授课内容;§ 7.1 硅气相外延工艺原理;化学气相外延生长是一个多相过程： ①反应剂质量从气相转移到生长层表面； ②反应剂分子被吸附在生长层表面； ③在生长层表面进行化学反应,得到硅原子和其他副产物； ④副产物分子脱离生长层表面的吸附(解吸)； ⑤解吸的副产物从生长表面转移到气相,随主气流逸出； ⑥硅原子加接到晶格上。 其中①和⑤是物理扩散过程；②和④是吸附及解吸过程，③是表面化学反应过程, 因此,外延层的生长速度既涉及在固体表面的化学反应动力学,又与吸附(解吸)和扩散动力学有关, 较慢者控制着外延生长速度。 在开管外延中，常压下（0.1MPa±）时，吸附与解吸速度快，生长速度取决于质量传输与表面化学反应；低压时，生长速度受样品表面各组分的吸附(解吸)和固体表面的化学反应控制。; 常压气相外延的生长速度主要由硅源浓度决定,而与温度关系不大。外延层的晶体质量与衬底温度和生长速度都有很密切的关系。硅烷外延系统获得单晶与多晶间的临界生长速度和生长时绝对温度的倒数成负指数关系。 一般在高温下，采用中、低速生长，极限生长速度(极限生长温度) 还与衬底的表面势有关。影响表面势的因素：衬底取向、表面光洁度和清洁等。生长温度也不宜太高。 ; 外延的物理化学原理: 化学气相硅外延通常在图3-1所示的卧式或立式反应器中进行。外延时,通入含有一定硅源蒸气(如四氯化硅(SiCl4)、三氯氢硅(SiHCl3)、二氯氢硅(SiH2Cl2)和硅烷等)的氢气流,并流经被高频感应或红外灯加热的硅片表面,当条件适当时便会在其上外延成膜。;氢还原反应;在气相中可能存在着如下几种中间反应（可逆）: SiCl4+H2====SiCl3+HCl SiCl4+H2====SiCl2+2HCl SiHCl3+H2====SiH2Cl2+HCl SiHCl3 ====SiCl2+HCl SiH2Cl2 ====SiCl2+H2 ?; 硅的析出是上述反应得到的SiCl2吸附于衬底表面,经下列可逆反应生成的: ? 2SiCl2====Si(固)+SiCl4 SiCl2+H2====Si(固)+2HCl ? 生成的SiCl4解吸后进入主气流,并再次被还原。上述反应全部可逆。;影响外延生长速率的主要因素： （1）反应剂浓度 ;（2）温度：B区高温区（常选用），A区低温区;（3）气体流速 :气体流速大生长加快; 将基座尾部相对气流倾斜3-100,使气体流速沿流动方向逐渐增大,增大气体流量也可以改善其均匀性。 ;（4）生长速率还与反应腔横截面形状和衬底取向有关 矩形腔的均匀性较圆形腔好。晶面间的共价键数目越多，生长速率越慢。;掺杂剂 (AsH3 or B2 H3) ;;外延生长程序 (1)N2预冲洗 260L/min 4min (2)H2预冲洗 260L/min 5min (3)升温1 850oC 5min (4)升温2 1170oC 6min (5)HCl排空 1.3L/min 1min (6)HCl抛光 1.3L/min 3min (7)H2冲洗(附面层) 260L/min 1min (8)外延生长: H2: 260L/min SiCl4: 6.4~7g/min PH3: 100PPM; 0.15~0.18L/min T: 1160~1190oC; 时间随品种而定 (9)H2冲洗 1170oC 1min (10)降温 6min (11)N2冲洗 4min;§ 7.2 外延层中的杂质分布;;异型杂质;7.2 .3 自掺杂效应;在外延层的电阻率还会受到气源或外延系统中的污染杂质进入外延，称为系统污染。;§7.3 低