硅片的制备学习课件.pptVIP

* * 最常被用来作为施主杂质的元素是磷，主要原因是它无毒而且比较容易得到，进行掺杂也比较容易。最常被用来作为受主杂质的元素是硼，主要原因也和磷一样，但它比磷还有一个更加明显的优点，就是，它在硅中的分凝系数很接近于1 。掺杂时，要将硅和杂质一起熔化，然后拉单晶。而单晶是从上到下逐渐生长的，所有的杂质元素在硅晶体的生长时，在硅的晶体和液体的界面上（固液界面），在固体和液体中的浓度是不同的，其在固体中的浓度与在液体中的浓度之比，就称为分凝系数。分凝系数越接近与1，则在固体和液体中的比例一样，这样所拉出的单晶的杂质浓度就越均匀。而分凝系数越接近于零，则在固体和液体的比例差别越大，这样，先拉出来的单晶的头部，杂质就会很少，而到单晶的底部，杂质浓度就会很大。 硼在固液界面静止情况下的分凝系数为0.8，在固液界面运动的时候，会超过0.9，所以，拉制的单晶里，从头到尾，所掺杂的硼的浓度很均匀。而磷的分凝系数为0.36，在实际拉晶时，分凝系数可以超过0.5，虽然小了些，但在V族元素里，已经是分凝系数最大的元素了 。 * * 不同的杂质在熔硅中分凝系数是不同的，熔体结晶时杂质分凝效应使单晶中杂质分布不匀这是它的不利方面，但另一方面可利用杂质的分凝效应使杂质集中在单晶的头部或尾部，达到提纯的目的 * * 因为在硅中存在30Si以及28Si、29Si三种同位素，它们混合极为均匀，所以在辐照后由30Si激活产生的31P在硅中分布也极为均匀,所以在辐照后由30Si激活产生的31P在硅中分布也极为均匀,从而可得到高均匀性的NTD硅单晶。 * * * * 滚磨 （111）晶向单晶硅棒有三个棱，（100）晶向有四个棱，经滚磨使单晶硅达到标准直径。 定晶向 可以采用X射线方法确定晶向，并切出参考面。当X射线被晶体衍射时，通过测量衍射线的方位可以确定出晶体取向。 化学腐蚀 用化学腐剂腐蚀去除滚磨造成的损伤，化学腐剂腐蚀为各向同行腐蚀液：HF：HNO3=3：1。 切片 以主参考面为基准切大圆片。（111）（100）切片偏差小于±1°，但外延用（111）片应偏出30．5°。 倒角 采用研磨法给大圆片倒角，避免在后面的工艺生产中因角碎带来污染。 研磨 用研磨液淹没，以保证表面平整，达到平行度的要求。 化学腐蚀 以去除研磨造成的损伤，化学腐蚀同（3）。 测试 测硅片厚度和电阻率。由电阻率ρ可知硅片的掺杂浓度N。电阻率ρ测量，一般采用四探针方法。 做背损伤 主要方法有研磨、喷砂，及重金属离子注入。这道工序根据需要而定。损伤层能吸收金属杂质和点缺陷（间隙杂质）。 抛光 将硅片表面最后用抛光液抛光。 清洗 进行化学和机械清洗。 检验 检验表面清洁和平整度。 * 2.2.3晶体掺杂 轻掺杂（n--Si、p--Si）,杂质浓度在1014-1016/cm3之间，多用于大功率整流器件； 中等掺杂（n-Si、p-Si）,杂质浓度在1016-1018/cm3之间，主要用于晶体管器件； 重掺杂（n+-Si p+-Si）,杂质浓度在1018-1020 /cm3之间，是外延用的单晶衬底。 * 液相掺杂 直接掺元素 母合金掺杂 气相掺杂 中子辐照（NTD）掺杂--中子嬗变掺杂技术 掺杂方式 * 液相掺杂可直接在坩埚内加入杂质元素制造特定电阻率圆片。(直接掺杂) 对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。 杂质分凝作用的大小描述----分凝系数k，定义为杂质在固相中的溶解度与杂质在液相中的溶解度之比 k=Cs/Cl 液相掺杂----分凝（segregation）与蒸发 * 蒸发常数E 是指坩埚中熔体内的杂质从熔体表面蒸发到气相中的现象，用蒸发常数E来表征杂质蒸发的难易。 N=EACl 杂质浓度分布与k、E有关。 N:气相杂质浓度 A:气体/液相表面面积 液相掺杂----分凝（segregation）与蒸发 * 硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数 分凝系数很小的杂质不能用液相掺杂方法 蒸发常数太大的杂质不能用液相掺杂方法 表2-1 硅中常见杂质的分凝系数和蒸发常数 参数 B Al Ga In O P As Sb 分凝系数 0.80 0.0018 0.0072 3.6*10-4 0.25 0.35 0.27 0.02 蒸发常数 5×10-6 10-4 10-3 5×10-3 10-4 5×10-3 7×10-2 * 分凝对杂质分布均匀性影响 在CZ法长晶中，