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条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析-发光学报
第31卷 第3期 发 光 学 报 Vol31 No3
2010年6月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Jun.,2010
文章编号:10007032(2010)03036904
条形叉指n阱和p衬底结的硅LED设计及分析
1,2 1 2 3 1
杨广华 ,毛陆虹 ,黄春红 ,王 伟 ,郭维廉
(1.天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;
2.天津工业大学 信息与通信工程学院,天津 300161; 3.中国科学院半导体所,北京 100083)
摘要:采用0.35 m双栅标准CMOS工艺最新设计和制备了叉指型SiLED发光器件。器件结构采用n阱
μ
和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成Sipn结LED。观察了SiLED发光显微图形及实际器
件的版图,并在对器件进行了正、反向IV特性测试、光功率及光谱特性的测量。SiLED的正向偏置时开启电
压为0.9V,反向偏置时在15V左右可观察到发光。器件在室温下反向偏置时,10V,100mA电流下所得输
出光功率为12.6nW,发光峰值在758nm处。
关 键 词:硅;发光器件;标准CMOS工艺
中图分类号:O482.31;TN383.1 PACS:78.60.Fi PACC:7860F 文献标识码:A
系统芯片SOC中有用武之地[9,10]。
1 引 言
采用新加坡特许半导体制造有限公司的
0.35 m双栅标准 CMOS工艺,研制出了叉指形
目前,集成电路多采用电互连方式。然而,根 μ
据摩尔定律和按比例缩小定律,半导体器件的集 状的n阱(nwell)和p衬底(psub)结的SiLED
成度和速度不断提高,而电互连线的传输速度并 发光器件,并测量器件的电学和光学性能。有关
不能得到相应提高,所以电互连延迟将会成为制 采用此项工艺制备的这种结构的硅发光器件还未
约系统整体性能的主要瓶颈。采用电子工程的方 有报道。
法,诸如铜互连、低 K介质互连、高温超导线互 2 器件设计及制备
连、三维互连、多层导线、补偿导线、多级采样、放
在设计过程中,根据器件的特性设计出了如
置转发放大器的方法,可以在一定程度上解决电
[1,2]
互连的延迟问题 。但是,这些方法无法解决
电磁干扰、电压隔离、时钟分配不精确等问题,并
且增加了互连功耗、面积、复杂度,使互连成本增
加,不能从根本上解决电互连遇到的问题。光互
[3,4]
连是从根本上解决互连问题的方法之一 。
以Si材料成本低廉的特性,和目前所具有的
发展成熟的超大规模集成电路制备技术,使得 Si
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