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- 2017-11-25 发布于天津
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第卷第期年月物理学报用镍硅氧化物源横向诱导晶化的多晶硅薄膜刘召军孟志国赵淑云郭海成吴春亚熊绍珍南开大学信息学院光电子薄膜器件与技术研究所天津香港科技大学电子及计算机工程系香港年月日收到年月日收到修改稿采用磁控溅射法以镍硅合金为靶制备了一种适用于金属诱导横向晶化的氧化物镍源自缓释镍源该镍源在内部构成和晶化现象上都不同于纯金属镍源采用该镍源制备低温多晶硅材料晶化速率不明显依赖于镍源薄膜的厚度且晶化多晶硅膜内的残余镍量亦可有效降低可为薄膜晶体管提供宽的工艺窗口本文对用纯金属镍源所得多晶硅薄膜的晶化率表
第卷第期 年月
５９ ４ ２０１０ ４ 物 理 学 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ，２０１０
１０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０４ ／２ ７７５０８
（） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．
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