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2018-11-27 发布于天津
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R 深圳市晶导电子有限公司 CM50N06 ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆60V N-Channel Trench-MOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于电源、适配器等功率开关电路 2．主要特点 l 开关速度快 l 驱动简单，可并联使用 3．封装外形 TO-220 4．电特性 1栅极(G)2漏极 (D) 3源极(S) 4.1极限值除非另有规定，Tamb= 25℃ 参数名称符号额定值单位漏极-源极电压 VDSS 60 V 连续漏极电流 ID 50 A 漏极脉冲电流 IDM 200 A 栅源电压 VGS ±15 V 单脉冲雪崩能量 EAS 200 mJ 热阻（结到壳） RθJC 0.96 ℃/W 耗散功率(Ta=25℃) Ptot 130 W 结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55～150 ℃ 4.2 电参数除非另有规定，Tamb= 25 ℃ 规范值参数名称符号测试条件单位最小典型最大漏源击穿电压 BV V =0V ，I =250 μA 60 V DSS GS D 通态电阻 R * V =10V ，I =19A 17 23 mΩ DSON GS D 阈值电压 V （） V =V ，I =250 μA 2 4 V GS TH DS GS D