低频电子电路第二章.ppt

饱和区(放大区) 特点： ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 数学模型： 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 在饱和区，JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。 截止区 特点： 沟道全夹断的工作区 条件： VGS VGS(off) IG≈0，ID=0 击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极PN结雪崩击穿 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V ? 造成 ID剧增。 VGS 越负? 则VGD 越负? 相应击穿电压V(BR)DS越小 JFET转移特性曲线 同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID =0 时对应的VGS值? 夹断电压VGS（off） 。 VGS(off) ID/mA VGS /V 0 IDSS (N沟道JFET) ID/mA VGS /V 0 IDSS VGS(off) (P沟道JFET ) VGS=0 时对应的ID 值? 饱和漏电流IDSS。 各类FET管VDS、VGS极性比较 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： 各类FET管VDS、VGS极性比较 VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型 VGS极性取决于工作方式及沟道类型 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。 P沟道FET：VDS 0，ID自管子漏极流出。 JFET管： VGS与VDS极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET管 S G U D ID S G U D ID U S G D ID S G U D ID NEMOS NDMOS PDMOS PEMOS S G D S G D (N沟道JFET) (P沟道JFET) 2.2.3 场效应管与晶体管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 晶 体 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 放大时发射结正偏和集电结反偏，对NPN管可通过下图中 vBE 0 和 vCE vBE 来满足。 b c e b c e NPN PNP 高 中 低 对NPN管可通过上图中 vBE 0 和 vCE vBE 来满足。 高 中 低 由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成MOS管永久性损坏。 MOS管保护措施： 分立的MOS管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路： T D2 D1 D1 D2一方面限制VGS间最大电压，同时对感 生电荷起旁路作用。 作业： 2-2， 2-5， 2-6， 2-9， 2-11，2-12。 * 需两个动画 * 需两个动画 * 需两个动画 N沟道EMOSFET沟道形成原理 假设VDS =0，讨论VGS作用 P P + N + N + S G D U VDS =0 - + VGS 形成空间电荷区 并与PN结相通 VGS? 衬底表面层中 负离子?、电子? VGS ? 开启电压VGS(th) 形成N型导电沟道 表面层 np VGS越大，反型层中n 越多，导电能力越强。 反型层 VDS对沟道的控制（假设VGS VGS(th) 且保持不变） VDS很小时 → VGD ?VGS 。此时W近似不变，即Ron不变。 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID线性 ?。 若VDS ?→则VGD ? →近漏端沟道? → Ron增大。 此时 Ron ?→ID ?变慢。 P P + N + N + S G D U VDS - + VGS - + P P + N + N + S G D U VDS - + VGS -