半导体器件物理_2孟庆巨.pptx

第二章半导体物理基础;主要内容;一、半导体材料及其结构;半导体的基本特性;;2、固体的结构 固体从其结构来讲有规则和不规则，如玻璃的结构则是不规则的，而硅单晶的结构是规则的： ;3、晶体的结构 1）晶体和晶格：由于构成晶体的粒子的不同性质，使得其空间的周期性排列也不相同；为了研究晶体的结构，将构成晶体的粒子抽象为一个点，这样得到的空间点阵成为晶格。 2）晶体结构与原子结合的形式有关 晶体结合的基本形式：共价结合、离子结合、金属结合、范德瓦耳斯结合 半导体的晶体结构：主要有 金刚石结构（ Ge、Si） 闪锌矿结构（GaAs等III-V族和CdTe等II-VI族化合物） 纤锌矿结构（部分III-V族和II-VI族化合物) ;◆金刚石结构;◆闪锌矿结构;◆纤锌矿结构;晶格 在点阵中把所有格点连接起来所构成网络;晶列指数和晶面指数;晶体的晶面用晶面指数（密勒指数）表示：该晶面与坐标轴截距的倒数可以化为互质整数。;二、半导体中的电子状态和能带; 本征半导体的共价键结构;邻近的 杂化轨 道交叠;当原子组成晶体时，根据量子力学原理，单个原子中的每个能级都要分裂，形成能带。严格地讲，能带也是由一系列能级组成，但能带中的能级是如此之多，以至于同一个能带内部各个能级之间的间隔非常小，因此完全可将能带看成是连续的。;电子的共有化运动;(a) E(k)和k的关系; (b) 能带; (c) 简约布里渊区;Si、Ge和GaAs的能带结构; 半导体的能带结构 价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 ;能带结构与导电特性;2、金属、半导体与绝缘体;金属没有带隙Eg=0 半导体的带隙较小(1~3 eV) 绝缘体的带隙很大;三、半导体中的载流子; (1)电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。; (2) 空穴的移动 ; 价带中空穴的运动 ;电子和空穴的有效质量m* 半导体中的载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，是考虑了晶格作用后的等效粒子。 ; 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用 如果把在晶体的周期势场作用下运动的电子，等效看成一个自由运动的准粒子，则该准粒子的等效质量称为有效质量，一般由E-k关系给出，可正、可负，电子正，空穴负。 ;四、半导体中的掺杂;掺杂： 为控制半导体的性质，人为掺入杂质的工艺过程 掺杂杂质一般为替位式杂质 扩散和注入是典型的掺杂工艺 杂质浓度是掺杂的重要因子：单位体积中杂质原子数 ;?替位式杂质：取代本体原子位置，处于晶格点上；这类杂质原子价电子壳层结构接近本体原子，如Ⅲ、Ⅴ族在Si、Ge(Ⅵ族)中的情况；Ⅱ、Ⅵ族在Ⅲ－Ⅴ化合物中。;2 本征半导体;3 杂质半导体; (1）N型半导体; 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。;(2) P型半导体; p型半导体的结构图;施主：掺入到半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子，并成为带正电的离子。如Si中掺入五价的P 和As. As：V族，其中的四个价电子与Si形成共价键，但多出一个电子只需要很低的能量便能该电子电离进入导带，形成导电电子和带正电的电离施主。 受主：掺入到半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如Si中掺入三价的B. B：III族，只有三个价电子，与Si形成共价键，并出现一个空位，只需要很低的能量便能使价带中的电子填补空位，并形成价带空穴和带负电的电离受主。;施主和施主能级 由于施主杂质的掺入而在半导体带隙中新引入的电子能级 ;电离：施主向导带释放电子的过程。未电离前，施主能级是被电子占据的,电离后导带有电子，施主本身带正电。 ;受主和受主能级 由于受主杂质掺入而在半导体带隙中新引入的电子能级，该能级未占据电子，是空的，容易从价带获得电子。 ;受主电离和电离能;施主杂质与受主杂质比较;　杂质的补偿原理----pn结实现原理;杂质对半导体导电性的影响;4 半导体中的载流子浓度;A:0k, B:300k, C:1000k, D:1500k;费米能级能够画在能级图上，表明它和量子态的能级一样，描述的是一个能量的高低。但是，它和量子能级不同，它并不代表电子的量子态，而只是反映电子填充能带情况的一个参数。从图看到，从重掺杂p型到重掺杂N型，费米能级越来越高，填进能带的电子越来越多。 不管费米能级的具体位置如何，对于任一给定的半导体材料，在给定温度下的电子、空穴浓度的乘积总是恒定的。