半导体第二章习题.ppt

PowerPoint2003 第二章 《半导体物理》第二章 2－1 2－2 2－3 2－4 2－5 2－5(2) 2－6 2－6(2) 2－7 2－8 2－8(2) 2－1 掺入锗，硅晶体中的杂质通常有磷，铟，锑,硼，砷，铝，镓，铋， 其中哪些是施主杂质? 哪些是受主杂质？ 解答： 磷，砷，铋，锑为Ⅴ族元素，为施主杂质 硼，铝，镓，铟为Ⅲ族元素，为受主杂质。 2－2 硅中掺入某种施主杂质，设其电子有效质量 ,计算电离能为多少？若 ，其电离能又为多少？这两种值中哪一种更接近实验值？ 解答：利用类氢原子模型： 由实验知，Si中施主电离能在 ，所以后者接近实验值。 2－3 ∴ 2-4 根据教材图2－8和图2－9写出Au、Ag、Cu、Fe、Zn、Cd、Ni等杂质在硅晶体和锗晶体中的深能级，并标出施主与受主。 解答： 施主能级和受主能级分别以D和A表示： 如下图： 2-5 制造半导体原料时，采用各种提纯工艺去除其中的杂质，而在制造实用半导体材料时，又需要掺入适量杂质，这是为什么？ 解答：原材料提纯： ①原材料中含有的杂质是各种各样的，对于器件制造者是不易控制的 ②重金属如Cu、Fe、Au等为深能级杂质，可起复合中心作用，可降低少子寿命，而电离能较大，对载流子浓度贡献不大，如果其杂志浓度较大，势必引进较多缺陷 ③如果原材料中有较多的多种浅能级杂质，由于它们的补偿作用，对载流子浓度贡献也不大，且不易控制。 实用半导体掺杂： 人为掺杂可以控制电阻率及导电类型，而且有选择的掺入某种杂质（如Au掺入Si）,可控制少子寿命;制作电极接触也需适量掺杂，如欧姆接触就需要高浓度的掺入施主杂质。 2－5(2) 2－6 制作半导体器件为什么希望选用低位错，无位错或位错均匀的材料呢？ 解答：①位错可形成受主能级（接收电子），而位错线形成的一串负电中心，对载流子有散射作用，可使迁移率降低； ②能带变形，扩张区减小，载流子可进行带间直接复合；形成的深受主能级起复合中心作用，这二种复合过程都影响少子寿命； ③位错不均匀，影响杂质分布均匀性，影响PN结的结面平整，可造成PN结穿通或降低击穿电压。 鉴于以上原因，所以通常用低位错，无位错或位错均匀的材料 2－6(2) 设Si中掺入N个浅施主杂质，同时掺入数量相等得深受主杂质，问温度较低使，Si是什么导电类型？温度较高时是什么导电类型？ 解答： 当温度较低时，Si是N型，因为 小。 当温度较高时，Si是P型，因为施主能级浅，对单能级受主深，多能级则受主能级大于施主能级。 2－7 锑化铟的 ,相对价电常数 ，电子有效质量 ， 为电子惯性质量，求： (1)施主杂质电离能； (2)施主的弱束缚电子基态轨道半径。 解答： 2－8 氢原子玻尔轨道半径为 ?，根据杂质类氢模型将 代替 ，以 代替 ，可得杂质等效玻尔半径 ，基质相对价电常数（Ge: ，Si: ）试计算Ge,Si浅施主的束缚电子的等效玻尔半径。 解答 对Ge 对Si : 2－8(2) 对GaPs， 求电离能及基态轨道半径 解答： 锗晶体中掺入锰，试采用类氢原子模型计算基深能级E1和E2的值，并在能带图中标出它们的位置(设 ) 解答：此模型给出两条深能级公式 ） 将 这两条能级都是受主能级，而 代入上式 如图所示： 则 A A Cd 位置 类型 位置 类型 A A Ni A A Zn A D Fe A A Cu A A D Ag A A D D Au 锗晶体中(eV) 硅晶体中(eV) 什么是杂质补偿作用？试举例说明杂质补偿作用的实际应用。 解答：施主和受主相互抵消的作用会使有效杂志浓度( )降低