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6.1 气氛加压烧结的原理 在1976年后,Greskovieh、Priest和Mitoms等人分别发现加压氮气能降低氮化硅的热分解和增加其烧结体的密度。由于Si3N4（S）=3Si（l）+2N2(g),从热力学数据以计算其平衡的氮气压力,并绘 成氮化硅的稳定图(如图)。图中,在固一液砰衡线的右边,氮化硅是稳定的。实际上,烧结必须在十倍于氮气平衡分压的条件下进行,例如温度区域1900~2100℃氮气压力大约为5MPa才能获得烧结良好和低失重(2%)的样品。 6.2 氮化硅材料烧结方法 氮化硅材料的烧结方法：反应烧结、热压烧结、无压烧结 无压烧结虽然可制取致密且形状复杂的氮化硅烧结体，但在0.1MPa的氮气气氛和1650℃的烧结温度下，氮化硅将发生分解反应。 采用热压烧结的方法，使氮化硅在温度和压力的同时作用下，在较低的温度下达到致密化。 以上两种方法都存在不足，如添加剂含量过多可导致制品高温性能恶化；热压只能制造形状简单的氮化硅陶瓷不见，且生产成本较高等。 6.3 气氛加压烧结的优点 用气氛加压烧结技术制备Si3N4陶瓷具有以下优点： 1.烧结温度提高，添加剂含量减少，从而改善了材料的高温力学性能； 2.烧结温度提高，可选择高熔点化合物做添加剂，有利于改善材料性能； 3.改善显微结构，如增加气氛压力有利于晶粒细化，从而有利于制品力学性能的提高； 4.易于制造形状复杂和大尺寸制品，不受模具和封套等的限制。 如果将前面介绍的反应烧结法和气氛加压烧结法融于一体，可实现对氮化硅陶瓷的快速制备，即“一步烧结法”。该方法是将硅粉末制备的压块在高压氮气气氛炉中先反应烧结，再在炉中直接烧结成致密材料。可使反应烧结时间大为缩短又不需超细氮化硅分体作为起始原料，从而可降低成本，缩短生产周期，适于制造复杂的氮化硅烧结体。 THANK YOU * 3.3 氮化硅陶瓷的性能 3.3.2热性能 氮化硅属于高温难熔化合物，无熔点，常压下在1900℃左右发生分解。在高于分解蒸汽压444.8Pa的条件下，氮化硅才会熔融；在一般条件下，则升华分解，不呈熔融 态。在25℃时的比热容为711.76J/(kg.K)，随着温度的升高而增大。 1.线膨胀系数:线膨胀系数较小且随密度的增大而增大，在高温区，随着温度的提高而显著增大，在室温到1000℃温度范围内，α-Si3N4为2.8×10-6/℃， β-Si3N4为3.0×10-6/℃，RBSN在( 2.5-3.0)×10-6/℃之间，而密度较高的RBSN的线膨胀系数则在(2.95-3.62)×10-6/℃之间。 2.导热性能:氮化硅的导热性能较好，热导率较大，且类似于线膨胀系数随密度、温度的变化规律，测量值在1.59-18.42W/(m.K)之间。 3.3 氮化硅陶瓷的性能 3.3.2热性能 3.抗热震性:氮化硅具有良好的抗热震性与晶界相有关，气孔率低，晶界相均匀细密，则抗热震性好；反之，气孔率高，晶界相厚，则抗热震性差。 4.热稳定性:氮化硅陶瓷的抗高温蠕变能力强，空气中的负荷软化点在1400℃以上，若排除在高温下氧化和晶界相（如反应烧结的氮化硅就不存在晶界相）粘度下降等不利因素，负荷软化点高达1850℃。氮化硅陶瓷的热稳定性好，可在高温中长期使用。在氧化气氛中可使用到1400℃，在中性或还原气氛中一直可以使用到1850℃。 3.3 氮化硅陶瓷的性能 3.3.3电性能和化学稳定性 电性能：氮化硅陶瓷在常温和高温下都是电绝缘材料，电阻率（室温）为1015-1016?·m，随温度变化不大，介电常数在4.8-9.5范围内，介质损耗角因数（106Hz)为 0.001-0.1。随着烧结制备工艺的提高，氮化硅可以归入常用介电材料的行列中。 3.3 氮化硅陶瓷的性能 3.3.3电性能和化学稳定性 化学稳定性： 氮化硅有很好的抗酸（氢氟酸除外）、抗弱碱腐蚀性，遇到大多数熔融的碱和某些盐类（NaNO3、NaNO2溶液、熔融MgO-Al2O3）等时不稳定。在高温下，煤、重油炉渣和一些气体都会迅速腐蚀氮化硅。氮化硅抗氧化性能好，在 800℃以上氮化硅与氧气发生反应，在表面生成致密的 SiO2保护层，阻止氮化硅继续氧化，使之较为稳定。 抗氧化性能和氧化行为随制备工艺、氧化气氛（潮湿环境中容易氧化）和材料的不同而变化。氮化硅对一些单质金属元素的熔液是稳定的，Cu（氧气存在条件下）、Mg、Si 熔液能与氮化硅发生微弱的反应，对黄铜、硬铝、镍银等合金熔液，铸铁、中碳钢等有较好的抗蚀性，但不耐镍铬合金、不锈钢等的腐蚀。 3.4 氮化硅陶瓷的应用 （1）氮化硅陶瓷刀具 氮化硅陶瓷刀具材料具有硬度高、强度高、耐高温、抗氧化性好，化学稳定性好等优点，可以进行高速切削、减少换刀次数及减少由于刀具磨损而造成的尺寸误差，特别适应于