忻州师范学院物理系综合设计实验 - 副本.docVIP

忻州师范学院物理系综合设计实验 静 电 场 的 描 绘 姓名： 学号：姓名： 学号： 姓名： 学号： 物本班 一、实验目的 1. 了解模拟法描绘静电场的依据及描绘方法。 2. 描绘几种静电场的等位线。 3. 加深对静电场，稳恒电流场的了解。 二、实验仪器 静电场描绘仪、水槽、 导线若干、 同轴圆柱电极、 平行板电极、 长直圆柱与平板电极、 聚焦电极、 坐标纸若干。 三、实验原理 直接测量静电场的分布是不容易的。理论和实验证明导电介质里稳恒电流建立的稳恒电流场与静电场的规律完全相似，而且电流场中电势很容易用伏特计测出，所以可用稳恒电流场模拟静电场。测量出被模拟的电场中各点电位，连接各等位点作出等位面，根据电场线与等位面的垂直关系，描绘出电场线，即可形象的了解电场的情况。但是，直接测量静电场的电场分布会遇到很大困难，这不仅是因为要使用较复杂的测试仪器，而且当仪器的探针置入电场后会发生感应或极化，从而严重改变了待测电场的分布情况。为了克服直接测量静电场的困难，我们可以仿造一个与静电场分布完全一样的电流场，用容易直接测量的电流场模拟静电场。模拟法在科学实验中有及广泛的应用，其本质上是用一种易于实现、便于测量的物理状态或过程的研究，代替不易于实现、不便于测量的状态或过程的研究。 电流场与稳恒电流场本是不同的场，但是它们都遵守高斯定理=0（无源区域）和环流定理=0，它们都可以引入电势U，而且电场强度与电势之间都存在=-?U；因此只要保证两种场保持相同的边界条件，就完全可以用稳恒电流场替代静电场。而前者的测量要比后者容易实现得多。要使得两种场具有相同的边界条件，只要保证电极形状一定，电极电势不变，空间介质均匀。在任何一个考察点，均应有U=U，= 下面以两无限长的带等量异号电荷的同轴圆柱电场和相应的模拟场——“稳恒电流场”来讨论这种等效性。如图9-1所示，在真空中有一半径为ar的长圆柱导体A和一个内径为br的长圆筒导体B，它们同轴放置，分别带等量异号电荷。由高斯定理可知，在垂直于轴线上的任一个截面S内，有均匀分布辐射状电场线，这是一个与坐标Z无关的二维场。在二维场中电场强度E平行于xy平面，方向垂直于轴线，其等位面为一簇同轴圆柱面。因此，只需研究任一垂直面横截面上的电场强度分布即可。 由电磁学知识知，距轴心O为r的各点电场强度为: 式中λ为A（或B）的电荷线密度。其电势为: (1) 图9-1两无限长带等量异号电荷的同轴圆柱电场 图9-2两无限长带等量异号电荷的同轴圆柱电场模拟模型 若r=rB 时，UB =0 则有： 代入式（1）并化简得 （2） （3） 距中心r场强为： （4） 图9-2是两无限长带等量异号电荷的同轴圆柱电场的模拟模型，图A、B间不是真空，而是充满一种均匀的不良导体，且A和B分别与电源的正负极相连。在A、B间形成径向稳恒电流，建立了一个稳恒电流场，可以证明不良导体中的电场强度与无导体时在真空中的静电场是相同的。 取厚度为t的圆柱形同轴不良导体来研究，材料的电阻率为ρ，则半径为r的圆周到半径为（r+dr）的圆周之间的不良导体薄块的电阻为 (5) 半径r到rb之间的圆柱片电阻为： （6） 由此可知，半径rA到rB之间圆柱片的电阻为 （7） 若设UB=0，则径向电流为 （8） 距中心r处的电势为： （9） 则稳恒电流场Er为 （10） 可见（4）与式（10）具有相同的形式，说明稳恒电流场与静电场分布函数完全相同。 实际上，并不是每种带电体的静电场及模拟场的电势分布函数都能计算出来，只有在均匀的几何形状对称规则的特殊带电体的场分布才能用理论严格计算。上面只是通过一个特例，证明了用稳恒电流场模拟静电场的可行性。 必须强调的是模拟方法的使用有一定的条件和范围，不能随意推广，否则将会得到荒谬的结论。用稳恒