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In2O3基透明导电薄膜生长技术 　　摘要： 透明导电氧化物（TCO）同时具有良好的金属导电性和较高的可见光透过率，近年来在光电器件领域，特别是平板显示和薄膜太阳能电池上得到广泛的应用。其中In2O3基薄膜应用技术最为成熟。本文主要报道In2O3基薄膜的制备与退火处理的研究现状。 Abstract： The transparent conductive oxide （TCO） films have the combination of good metallic conductivity and high transmittance in the visible spectra， so these films were widely used in all types of flat panel displays and thin films solar cells. The well-known In2O3 based films are the most intense researched in nowadays. This paper reports the development of the producing technique and annealing properties in laboratories. 关键词： 真空蒸镀；溅射；脉冲激光沉积；溶胶-凝胶；退火 Key words： vacuum evaporation；sputtering；pulsed laser deposition；sol-gel；anneal 中图分类号：Q939.5 文献标识码：A 文章编号：1006-4311（2013）30-0036-03 1 概述 对宽带隙半导体（In、Sb、Zn等）及其混合物的氧化物进行掺杂可以获得良好的可见光透过率和n型金属特性（n-TCO）或者n型半导体特性（n-ASO），甚至可以获得具有p型特性的材料p-TCO和p-ASO。TCO薄膜的光电特性为禁带宽、可见光透射率高，达到75%以上；电阻率低，小于10-3Ω·cm。 TCO薄膜应用广泛，极具研究价值。主要有平面显示器件和特殊功能窗口涂层、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件及其他光电子、微电子、真空电子器件等应用领域。图1展示了TCO薄膜在电动汽车上的应用。 目前TCO主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物以及复合多元氧化物薄膜，即In2O3、SnO2、ZnO、CdO及其掺杂体系In2O3：Sn（ITO）、In2O3：Mo（IMO）、SnO2：Sb（ATO）、SnO2：F（FTO）、ZnO：Al（ZAO）、CdO：In等。 In2O3是一种宽禁带N型半导体材料，迁移率较高，可见光范围内透过率高于90%。In2O3基薄膜的制备技术较为成熟，应用也最为广泛，已形成了一定的商业生产规模，目前ITO透明导电薄膜的年均需求已超过200万平方米。本文报道制备In2O3基薄膜ITO、IMO以及其他掺杂系列的科研现状。 2 真空蒸镀法 电阻加热蒸发源结构简单、廉价易作，所以应用普遍。而电子束蒸发方法更能满足难熔金属和氧化物材料，特别是高纯度薄膜的制备需求。用真空蒸镀法制备的薄膜光电特性如表1所示。 李林娜[1～3]等各自用电阻加热法制备ITO薄膜，研究了Sn含量、薄膜厚度、生长速率对薄膜光电性能的影响。保持衬底温度140℃，沉积速率0.1A/sec，调整Sn含量，证实电阻率随着Sn含量增加而增大，在Sn含量为0时达到最低6.72×10-4Ω·cm。薄膜在可见光范围内平均透过率大于80%；在波长650nm时透过率变化不大。采用Sn含量1%，衬底温度160℃，沉积速率0.06nm/s，改变薄膜厚度，发现随着厚度的增加薄膜晶体结构相对完整，载流子浓度和迁移率升高，电阻率降低，160nm时可达6.37×10-4Ω·cm。在厚度40～130nm范围内，可见光平均透过率大于80%。保持Sn含量1%，衬底温度为160℃，在沉积速率0.01～0.06nm/s之间进行实验，结果生长速率的提高使得薄膜中晶格缺陷增多导致电阻率降低，In、Sn低价氧化物增多引起可见光透过率降低。0.01nm/s生长速率得到的薄膜电阻率6.72×10-4Ω·cm，可见光范围内平均透过率93%。 陈新亮[4～6]等采用电子束蒸发方法。改变沉积速率生长缓冲层制备IMO薄膜实验中，首先用低沉积速率（约 0.01nm/s）生长厚度约为30nm的缓冲层，然后在0.04nm/s的速率下生长厚度约50nm的薄膜性能最好，测得电阻率ρ约为2.5×10-4Ω·cm，方块电阻约为22.5Ω/□，载流子浓度n～5.8×1020cm-3，电子迁移率