氮_掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究_李微.pdfVIP

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2017-11-14 发布于湖北
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网络出版时间：2017-09-30 10:09:19 网络出版地址：/kcms/detail/31.1339.TN1009.004.html 网络预出版：标题：氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究作者：李微,潘景薪,王登魁,方铉,房丹,王新伟,唐吉龙,王晓华,孙秀平收稿日期：2017-08-07 录用日期：2017-09-26 DOI：10.3788/cjl201845.0103003 引用格式：李微,潘景薪,王登魁,方铉,房丹,王新伟,唐吉龙,王晓华,孙秀平. 氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究[J].中国激光,2018,45(01):0103003. 网络预出版文章内容与正式出版的有细微差别，请以正式出版文件为准！ ———————————————————————————————————————————————————— 您感兴趣的其他相关论文： C 关于氨气分子在1.5 μm吸收谱线及其在激光稳频上的应用安浩哲吴铁蒋佩璇谢毅北京邮电学院, 北京 100088 J 中国激光,1993,20(6): L 氮δ掺杂Cu O 薄膜的生长及物性研究 2 1 1 1* 1 1 1 1 1 2 李微，潘景薪，王登魁，方铉，房丹，王新伟，唐吉龙，王晓华，孙秀平 1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022 2 长春理工大学理学院，长春130012 摘要本文采用等离子体增强原子层沉积技术（PEALD ）以NH 为掺杂源对Cu O 薄膜材料进行了氮δ掺 3 2 杂实验，并对掺杂后的样品进行了 X 射线光电子能谱（XPS ）、原子力显微镜（AFM ）、霍尔测量、紫外- 可见吸收光谱等测试分析，研究了N 掺杂对Cu O 薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。通过XPS 测试， 2 表明利用PEALD 技术生长出了氮δ掺杂的Cu O 薄膜；发现在N 掺杂后会引起晶格畸变，Cu O 薄膜的结 2 2 晶质量下降，导致Cu O 薄膜表面粗糙度增大，起伏明显；掺杂后Cu O 薄膜的带隙从2.70eV 增加到3.20eV， 2 2 吸收边变得陡峭；掺杂后载流子浓度为6.32*1019 cm-3 ，相比于未掺杂样品（5.77*1018 cm-3 ）提升了1 个数量级。关键词等离子体增强原子层沉积；氮δ掺杂；Cu O ；NH ； 2 3 中图分类号O484 文献标识码A Research on Growth and Properties of N δ-doped Cu O film 2 1 1 1*