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网络出版时间：2017-09-30 10:09:19
网络出版地址：/kcms/detail/31.1339.TN1009.004.html
网络预出版：
标题：氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究
作者：李微,潘景薪,王登魁,方铉,房丹,王新伟,唐吉龙,王晓华,孙秀平
收稿日期：2017-08-07
录用日期：2017-09-26
DOI：10.3788/cjl201845.0103003
引用格式：
李微,潘景薪,王登魁,方铉,房丹,王新伟,唐吉龙,王晓华,孙秀平. 氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长
及物性研究[J].中国激光,2018,45(01):0103003.
网络预出版文章内容与正式出版的有细微差别，请以正式出版文件为准！
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氮δ掺杂Cu O 薄膜的生长及物性研究
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李微 ，潘景薪 ，王登魁 ，方铉 ，房丹 ，王新伟 ，唐吉龙 ，王晓华 ，孙秀平
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022
2 长春理工大学理学院，长春130012
摘要 本文采用等离子体增强原子层沉积技术 （PEALD ）以NH 为掺杂源对Cu O 薄膜材料进行了氮δ掺
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杂实验，并对掺杂后的样品进行了 X 射线光电子能谱 （XPS ）、原子力显微镜（AFM ）、霍尔测量、紫外-
可见吸收光谱等测试分析，研究了N 掺杂对Cu O 薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。通过XPS 测试，
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表明利用PEALD 技术生长出了氮δ掺杂的Cu O 薄膜；发现在N 掺杂后会引起晶格畸变，Cu O 薄膜的结
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晶质量下降，导致Cu O 薄膜表面粗糙度增大，起伏明显；掺杂后Cu O 薄膜的带隙从2.70eV 增加到3.20eV，
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吸收边变得陡峭；掺杂后载流子浓度为6.32*1019 cm-3 ，相比于未掺杂样品（5.77*1018 cm-3 ）提升了1 个数
量级。
关键词 等离子体增强原子层沉积；氮δ掺杂；Cu O ；NH ；
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中图分类号O484 文献标识码A
Research on Growth and Properties of N δ-doped Cu O film
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