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多晶硅部分剥离技术对抗辐照VDMOS动态特性影响【摘要】在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时，为了总剂量辐照加固的需求，需要减薄氧化层的厚度，然而，从VDMOS器件的开关特性考虑，希望栅氧化层厚度略大些。本文论证了在保证抗辐照特性的需求的薄氧化层条件下，采用漂移区多晶硅部分剥离技术以器件动态特性的可行性，研究了该结构对器件开启电压、击穿电压、导通电阻、寄生电容、栅电荷等参数的影响，重点研究了漂移区多晶硅窗口尺寸对于VDMOS动态特性的影响。模拟结果显示，选取合理的多晶硅尺寸，可以降低栅电荷Qg，减小了栅-漏电容Cgd，减小器件的开关损耗、提高器件的动态性能。 【关键词】VDMOS；抗辐照；多晶硅剥离技术；动态性能 The Affect of Polysilicon Lift-off Technic on Dynamic Performance of Anti-radiation VDMOS Song Wenbin，Cai Xiaowu （Dalian neusoft institute of information，Dalian 116023，Liaoning Province，China） Abstract：Considering anti-radiation performance of VDMOS device，thinning oxidation should be used to meet radiation hardened demand.But thick oxidation is essential because of demand for good devices switch features.This paper demonstrated the feasibility of improving VDMOS dynamic performance by using polysilicon lift-off technique.Each of the devices parameters，such as threshold voltage，breakdown voltage，on-resistance and gate electric charge，was studied and the improvement of dynamic performance at distinct polysilicon lift-off window condition was mainly studied.Simulation result showed that gate electric charge（Qg），gate-source capacitance（Cgd），switching loss and dynamic performance of VDMOS device would be improved significantly if the size of lift-off window is designed properly. Key words：VDMOS；Anti-radiation；Polysilicon lift-off technic；Dynamic performance 1.引言 功率VDMOS器件具有开关速度快，开关损害小、输入电阻高、频率特性好等优点，被广泛应用于高频开关器件领域[1]。功率VDMOS器件的开关特性是由其本征电容和寄生电容共同决定的[2]。单从器件的开关特性考虑，我们希望栅氧化层厚度略大些[3]，因为寄生输入电容Ciss的大小随栅氧化层厚度的增加而减小。然而，在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时，为了总剂量辐照加固的需求，需要减薄氧化层的厚度，这样势必增加器件的寄生输入电容。因而，如何有效减小VDMOS器件的寄生电容，成为抗辐照VDMOS器件设计的难题。 图1为100V抗辐照VDMOS寄生电容随栅氧化层变化情况曲线。有由图可见，栅氧化层的厚度直接影响器件的寄生输入电容Ciss的大小，随着栅氧化层厚度的增加，VDMOS器件的寄生输入电容Ciss在减小。随着栅氧化层厚度的增加，VDMOS器件的寄生输出电容Coss和反馈电容Crss基本没有改变。在影响VDMOS器件的寄生电容的Ciss参数中，栅漏电容Cgd尤为重要[5]。Cgd直接影响器件的输入电容和开关时间，Cgd通过密勒效应使输入电容增大[5]，从而使器件上升时间tr和下降tf时间变大。 2.研究重点 本文在减薄氧化层的厚度，保证总剂量辐照加固的需求的前提下，研究了多晶栅部分剥离技术对器件寄生电容的改善情况，研究了器件结构结构调整对VDMOS器件参数、尤其