GaAs化合物半导体.PPTVIP

1 參考書目 Quantum Physics (近代物理, 量子力學) 1. Quantum Physics – R. Eisberg, R. Resnick 2. Introductory Quantum Mechanics – Richard L. Liboff Solid State Physics (固態物理) 1. Introduction to Solid State Physics – Charles Kittel 2. Solid State Physics – Ashcroft/ Mermin Compound Semiconductor (化合物半導體) 1. Materials Aspects of GaAs and InP Based Structures --V. Swaminathan, A. T. Macrander 2. Semiconductor Optoelectronic Devices — P. Bhattacharya 3. Semiconductor Material Device Characterization –D.K.Schroder 4. High-Speed Semiconductor Devices – S.M. Sze Outline Introduction crystalline nature of solids/ alloy semiconductor/ lattice mismatch pseudomorphic materials/ Crystal growth Electronic Properties of Semiconductor effective mass bandstructure/ semiconductor statistics/ conduction process Optical Processes in Semiconductor e-h pair creation recombination/ absorption/ effect of E-field/ luminacence from QW Optical Microwave Devices a. LED, LD b. HEMT, HBT ? Si - 地球上含量多 - 易長氧化層SiO2 - 散熱佳 - 間接能隙 - 低頻:PC,家電產品 ? GaAs - 地球上含量少 - 速度快? 微波元件 - 直接能隙? 光電元件 - 散熱差 ? 磨薄製程 - 高頻:通訊產品 GaAs化合物半導體特性 砷化鎵基板製作 基板尺吋趨勢 磊晶成長 GaAs Ga (HB法) 850°C 900°C 750°C (氫化物) VPE 法 VPE: Vapor Phase Epitaxy LPE: Liquid Phase Epitaxy 混合 區域 H2 GaCI As2 As4 排氣 610°C AsH3 + H2 H2 + HCI 基本磊晶技術與產品應用 學習目標 Q: 什麼是化合物半導體? (compound semiconductor) A:化合物半導體是高頻元件(High Speed Device)及光電元件(Optoelectronic Device)所不可或缺的材料，種類很多,特性不同,製程也各異。 化合物半導體與Si半導體的不同 (特徵) 具發光的特性 (LED, LD) 紅外線(看不見), 可見光, 紫外線(看不見) 2.具高電子移動率 大電流, 高速通訊 3.應用性廣 講義內容 化合物半導體材料 . 特徵 . 種類 2. 化合物半導體成長方法 . 晶圓成長方法 . 磊晶成長方法 晶圓:基板　　磊晶:在基板長單結晶層 GaAs Compound Introduction Flow Chart Element Periodic Table GaAs Characterization - High electron velocity:Microwave device - Direct energy bandgap:Optical Electron device GaAs Device Technology III-V element V element GaAs Compound Energy bandgap;Metal,semiconductor HEMT/HBT device -LED / LD 化合物半導體組成 週期/族 II