Si111衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系3.PDFVIP

第 26 卷 　第 8 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 8 2005 年 8 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Aug . ,2005 Si( 111) 衬底上生长的 Ga N 的形貌与 Al N 缓冲层生长温度的关系 1 ,2 1 2 1 2 2 朱军山 　徐岳生 　郭宝平 　刘彩池 　冯玉春 　胡加辉 ( 1 河北工业大学材料学院 , 天津 　300 130) (2 深圳大学光电子学研究所 光电子器件与系统教育部重点实验室 , 深圳 　5 180