微波电路 微波技术及天线课件作者范寿康第8章节.ppt

尚辅网 / 第8章 微波晶体管放大器 8.1微波双极晶体管和微波杨效应晶体管 8.2异质结双极晶体管和高 电子迁移率晶体管 8.2.1异质双极晶体管 8.2.2高电子迁移率晶体管 8.3微波晶体管的Ｓ参数 8.3.1微波晶体管Ｓ参数的定义 8.3.2双极晶体管与场应管Ｓ 参数性能比较 8.4微波晶体管放大器的功 率增益 8.4.1微波晶体管两端接任意负 载及信号源时输入阻抗 8.4.2微波晶体管输入、输出 功率表达式 8.4.3三种功率增益表达式 8.5微波晶体管放大器的稳 定性 8.5.1一些概念 8.5.2图解法判量放大器的稳 定性 8.5.3绝对稳定的判别准则 8.6微波晶体管放大器的噪 声系数 8.6.1有源两端口网络噪声系 数的一般表达式 8.6.2等噪声系数图 8.7小信号微波晶体管放大 器的设计 8.7.1微波晶体管放大器设计 概述 8.7.2高增益放大器的设计举 例 8.7.3微波晶体管放大器电路 的计算机辅助设计 8.8微波晶体管功率放大器 的线性化 8.8.1微波晶体管功率放大器 的非线性 8.8.2微波晶体管功率放大器 的线性化举例 微波晶体管的主要用途 常用微波晶体管的种类 微波晶体管有着广泛的应用，它除了最常用的制作微波晶体管放大器外，还可运用于振 荡器、混频器、限幅、鉴频、开关、移相、高速脉冲调制与再生、高速逻辑电路等。 微波晶体管分为双极晶体管和单极晶体管两种。双极晶体管是指PNP或NPN型这类有两种极性不同的载流子参与导电机构的晶体管，也称为晶体三极管。单极晶体管只有一种载 流子参与导电机构，通常指场效应晶体管。 本章提要 8.1微波双极晶体管和微波杨效应晶体管 结构与等效电路（如图8-1，图8-2） 两个重要参数 （1）特征频率 （2）噪声性能 1.微波双极晶体管 图8-1微波双极晶体管交指型结构示意图 图8-2微波双极晶体管管芯共发射极简化等效电路 结构与等效电路（如图8-5，图8-6，图8-7） 两个重要参数 （1）特征频率 （2）噪声性能 2.微波场效应晶体管 图8-5GaAs MES FET结构示意图 图8-6 MES FET漏电流与漏电压的关系 图8-7 MES FET管芯等效电路 8.2异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管 8.2.1异质双极晶体管 2.异质结双极晶体管 1.异质结概念（如图8-9） 由于从发射区向基区注入电子所要克服的势垒高度，比由基区向发射区注入空穴所要克服的势垒高度要小得多，因此阻挡了空穴流，有效地提高了发射极的注入效率。 通常所称PN结是由一种半导体材料的相邻区进行不同元素的掺杂而构成的，也称为同质结；如果由两种不同的半导体材料构成的结，则称为异质结。 图8-9PN异质结形成前后的热平衡能带图 NPN HBT和D-HEMT结构图（如图8-11，图8-12） HEMT的输出特性（如图8-14） 8.2.2高电子迁移率晶体管 图8-11 NPN HBT放大状态的能带图 图8-12 D-HEMT的结构图 图8-14 HEMT的输出特性 8.3微波晶体管的Ｓ参数 8.3.2双极晶体管与场应管Ｓ参数性能比较 8.3.1微波晶体管Ｓ参数的定义 在工程应用中，无论是小信号工 作状态下的微波晶体管还是大信号工作状态下的微波功率晶体管，都可以看成是一个有源二端口网络，并采用S参 数来表征微波晶体管的外部特性。 （1） 、 双极晶体管：频率不太高时为容性反射系数，频率高时， 为容 性， 为感性。 场效应管：在较大频率范围内都是容性。 （2） 两种晶体管的 都随频率增加而增大，但场效应管的 比双极晶体管小得多，这说明场效应管内部反馈比双极晶体管小，因而其稳定度高。 （3） 双极晶体管：随着频率的增加， 减小很快，通常∣ ∣2以每 倍频程6dB速度下降。 场效应管： 在较宽频率范围内 变化很小，所以场效应管可用 在较高频率上。 8.4微波晶体管放大器的功率增益 输入阻抗的表达式 8.4.1微波晶体管两端接任意负载及信号源时输入阻抗 8.4.2微波晶体管输入、输出功率表达式 8.4.3三种功率增益表达式 1.工作功率增益 工作功率增益 只与晶体管Ｓ参数，负载反向系数有 有关，与信号源反射系数 无关。 增益表达式 2.转换功