微机原理及接口技术课件作者王惠中王强第3章节存储器.ppt

第三章 半导体存储器 3.1 概述 3.2静态存储器 SRAM 3.3 动态存储器DRAM 3.4 只读存储器ROM 3.5 存储器系统的设计 存储器的分级体系结构 简单的二级结构： 主 存 ＋ 辅 存 四级结构 PC/XT机系统内存空间的划分 存储器分类 按存储介质，可分为半导体存储器、磁介质存储器和光存储器 按照存储器与CPU的耦合程度，可分为内存和外存 按存储器的读写功能，分为读写存储器（RWM：Read/Write Memory）和只读存储器（ROM：Read Only Memory) 按掉电后存储的信息可否永久保持，分为易失性（挥发性）存储器和非易失性（不挥发）存储器 存储器分类 按照数据存取的随机性，分为随机存取存储器、顺序存取存储器（如磁带存储器）和直接存取存储器（如磁盘 ） 按照访问的串行/并行存取特性，分为并行存取存储器和串行存取存储器 按照半导体存储器的信息存储方法，分为静态存储器和动态存储器 按存储器的功能，分为系统存储器、显示存储器、控制存储器 一般把易失性半导体存储器统称为RAM，把非易失性半导体存储器都称为ROM 存储器的分类及选用 按 存 储 介 质 分 类 §3.2.1 静态RAM的六管基本存储单元 集成度低，但速度快，价格高，常用做Cache。 静态读写存贮器（SRAM）使用十分方便，在微型计算机领域获得了极其广泛的应用。现以一块典型的SRAM芯片为例说明其外部特性及工作过程。 （1） 8K×8bit的CMOSRAM芯片 ① 引线功能。6264（6164）有28条引出线，它们包括： A0~A12为13条地址信号线。 D0~D7为8条双向数据线。 ，CS2为两条选片信号的引线。 为输出允许信号。 是写允许信号。 NC为没有使用的空脚。芯片上还有+5V电压和接地线。 ② 6264（6164）的工作过程。 3.3 动态存储器DRAM 动态RAM的单管基本存储单元 集成度高，但速度较慢，价格低，一般用作主存。 动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。 （1）动态存贮器芯片2164A的引线 A0~A7为地址输入端。 DIN和DOUT 是芯片上的数据线。 RAS为行地址锁存信号。 CAS为列地址锁存信号。 WE为写允许信号。 （2） DRAM的工作过程 ① 读出数据。 ② 写入数据。 ③ 刷新。 3.4 只读存储器ROM 27系列EPROM芯片管脚排列 A0~A15为地址线 O0~O7为数据线 EPROM操作真值表 3.4.4 FLASH存储器（Flash Memory） 原理上，FLASH属于ROM型，但可随时改写信息 功能上，FLASH相当于RAM 特点： 可按字节、区块（Sector）或页面（Page）进行擦除和编程操作 快速页面写入：先将页数据写入页缓存，再在内部逻辑的控制下，将整页数据写入相应页面 由内部逻辑控制写入操作，提供编程结束状态 具有在线系统编程能力 具有软件和硬件保护能力 内部设有命令寄存器和状态寄存器 内部可以自行产生编程电压（VPP），所以只用VCC供电 闪烁存储器也称快速擦写存储器。实际上闪烁存储器属于EEPROM类型，又称Flash ROM，性能优于普通EEPROM。它是Intel公司率先推出的一种新型存储器，在Pentium机主板上，用128KB或256KB的Flash ROM存放BIOS，取代了EPROM和EEPROM。因此现在称BIOS为Flash BIOS。 3.5.2 存储器芯片的扩展 存储芯片的位扩展 存储芯片的字扩展 存储芯片的字、位同时扩展 用16K×4bit的芯片扩展实现64KB存储器 存储器模块设计 确定芯片型号及数量 根据容量、速度、价格、功耗等要求，确定芯片的具体型号和数量。如考虑选用SRAM还是DRAM，是否需要E2PROM、FLASH等等 存储器模块设计 内存地址空间的分配 在PC机中，大部分存储区域已被系统使用或被系统保留，用户扩展存储器可选择的地址范围一般落在0C0000H ~ 0DFFFFH范围内。当然，实际设计时，还需要考虑系统的具体配置，以及是否需要设置选择开关来在改变扩展存储器的地址范围 用户扩展存储器地址空间的范围决定了存储芯片的片选信号的实现方式 3.5.2