半导体集成电路存储器-吉林大学.PPTVIP

第5章 半导体存储器 存储器是组成计算机系统的重要部件，它用来保存计算机工作所必须的程序和数据，并用来存放计算机在运行过程中产生的有用信息 存储器由具有记忆功能的两态物理器件组成，如电容、双稳态电路等 存储器有两种基本操作：读操作和写操作 5.1 半导体存储器分类 按所处地位不同，分为： 内存和外存 内存：存放当前运行所需要的程序和数据，以便向CPU快速提供信息，相对辅存而言，主存的存取速度快，但容量较小，且价格较高 外存：用来存放当前暂不参与运行的程序、数据和文件，以及一些永久性保存的程序、数据和文件，在CPU需要处理时再成批地与主存交换。特点是存储容量大，价格低，但存取速度较慢 按存储介质，分为： 磁存储器（磁芯、磁盘及磁带）、半导体存储器（半导体集成电路存储器）、光存储器、激光光盘存储器 半导体存储器按工作方式分为RAM和ROM 半导体存储器从器件原理分为TTL和MOS 半导体存储器分类 TTL和MOS存储器 TTL存储器：双极型存储器，是用TTL（Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑）电路制成的存储器，其特点是工作速度快，功耗大，集成度低，因此计算机中的容量较小要求速度快的高速缓存（Cache）常采用双极型存储器。 MOS存储器：单极型存储器，是用MOS（Medal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体）电路制成的存储器，其特点是集成度高，功耗低，价格便宜，但工作速度比双极型存储器低。在计算机的主存中大量采用MOS存储器 随机访问存储器RAM RAM：随机访问存储器（Random Access Memory），特点是存储器中的信息既能随时读出，也能随时写入，RAM中信息在关机后即消失 RAM分为DRAM和SRAM两种 SRAM：静态RAM （Static RAM），利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”。电源不关掉，SRAM的信息不会消失，不需刷新电路，非破坏性读出 DRAM：动态RAM （Dynamic RAM），利用MOS管的栅极对其衬底间的分布电容保存信息，DRAM的每个存储单元所需MOS管较少，因此集成度高，功耗小，DRAM中的信息会因电容漏电而逐渐消失，破坏性读出，读后需重写 DRAM信息的保存时间一般为2ms，需配置刷新或重写电路 只读存储器ROM ROM：只读存储器（Read Only Memory），使用时只能读出其中信息，而不能写入新的信息。ROM中信息关机后不消失 按写入方式，ROM分为以下几种类型 掩膜ROM（Masked ROM）：生产时已将程序、数据写入其中，用户只能读出，不能修改 PROM（Programmable ROM）：可编程ROM，PROM中的程序是由用户自行写入的，但一经写入就无法更改了，是一种一次性写入的ROM。 EPROM（Erasable Programmable ROM）：可擦除可编程ROM， EPROM可由用户自行写入程序，写入后的内容可用紫外线灯照射来擦除，然后可重新写入内容。EPROM可多次改写 E2PROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦除可编程ROM，可用电信号进行清除和重写的存储器。E2PROM使用方便，但存取速度较慢，价格较贵 存储器芯片的主要技术指标 存储容量：可寻址的存储器单元数×每单元二进制位数，例如，SRAM6264容量为8K×8，即它有8K个存储单元，每单元存储8位二进制数 存取时间：存储器访问时间，启动一次存储器操作到完成该操作所需要的时间 存取周期：连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 可靠性：用故障间隔平均时间（MTBF）来表示 功耗：要求低功耗 5.2 读写存储器RAM 静态RAM基本存储电路 6个MOS管组成双稳态电路 T1截止 T2导通为“0”， T1导通T2 截止 为“1” T1T2工作管，T3T4负载管，T5 T6T7T8控制管（其中T7T8共用） 写入：X线Y线有效，使T5T6T7 T8导通，写控制有效，使单元数据线与外部数据线连通，靠T1T2的截止与导通记录信息 读出：X线Y线有效，使T5T6T7 T8导通，读控制有效，使单元数据线与外部数据线连通，从T2端读出信息 静态RAM芯片构成 三个部分组成： 存储体 行列译码器 控制电路 芯片实例SRAM 2114 容量1K × 4 芯片实例 SRAM 6116 容量:2K×8 片内有16384个存储单元，排成128×128的矩阵，构成2K个字，11条地址线分成7条行地址线A4～A10，4条列地址线A0～A3，字长8位，有8条数据线D7～D0 双列直插式芯片 24个引脚 芯