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砷化稼介绍 1、基本介绍 砷化镓（gallium arsenide）化学式 GaAs，黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀，传输范围1.0-22微米。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等 其最大特点是光电特性，它的光发射效率比其它半导体材料高，用它不仅可以制作发光二极管、光探测器，还能制备半导体激光器，广泛应用于光通信、光计算机和空间技术。因此，随着通讯产业急速发展、无线通讯时代的来临，中、低频频道已不敷使用，硅本身有许多难以再改善的电子特性（如：电子的迁移速率，先天上只能制造出1GHz以下的低频通讯组件），已逐渐无法再充分满足人类需求，而使化合物半导体逐渐受到青睐，并且取而代之。其中砷化镓凭借着高频率、高电子迁移率、低噪音、输出功率高、耗电量小、效益高以及线性度良好、不易失真等优越的特性，脱颖而出，开发前景令人鼓舞。  2、材料性能 光学性能 体吸收系数 @ 10.6µm= 0.01 /cm 折射率温度系数 @ 10.6µm149 x 10-6/°C 热学性能 导热率 @ 20° C0.48 W/cm/°C 比热0.325 J/g/°C 线性膨胀系数 @ 20° C5.7 x 10-6/°C 机械性能 杨氏模量83 GPa (12.04 x 106 psi) 断裂模数138 MPa (20,000 psi) 努氏硬度750 kg/mm2 密度5.37 g/cm3 波森比0.31 3、砷化镓发展历史 1952年美国开始了砷化镓的研制。20世纪60 年代，美国通用电气公司率先研究开发了砷化镓，把它应用于超级计算机芯片的制作。日本企业紧跟这个发明，大量开发生产砷化镓，并将其应用范围扩大到激光器中的二极管。90年代，日本公司已占据世界砷化镓组件市场的三分之二。而在60年代初期，我国也开始了砷化镓芯片的研制。 北京有色金属研究总院是我国最早开展砷化镓单晶制备研究的单位之一。自上世纪50年代年开始，先后开发出水平布里支曼法（HB）、液封直拉法（LEC）、蒸汽压控制直拉法（VCZ）和垂直梯度凝固法（VGF）等多项砷化镓单晶生产工艺技术，成功生长出1~4英寸砷化镓单晶，推动了国内砷化镓及其相关产业的快速发展。 4、砷化镓材料的制备及应用 砷化镓材料，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。它具有一些优于硅的性能，已成为仅次于硅材料的重要半导体材料。H.韦尔克于1952年提出的Ⅲ－Ⅴ族化合物具有优良的半导电性质。当时从禁带宽度和电子迁移率推测砷化镓兼具硅和锗的优点，于是开展了对砷化镓等化合物半导体材料的研究。最初10年进展不大。1962年砷化镓激光器问世以后，砷化镓器件发展很快。尽管由砷化镓取代硅、锗的设想尚未实现，但它在激光、发光和微波等方面已显示出优异的性能。用砷化镓已制造出高速集成电路，对材料质量提出更高要求，促使砷化镓材料的研究更加深入。  4.2砷化镓的外延生长  砷化镓的外延生长按工艺可分为气相和液相外延，所得外延层在纯度和晶体完整性方面均优于体单晶材料。通用的汽相外延工艺为Ga/AsCl3/H2法,这种方法的变通工艺有Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。为了改进Ga/AsCl3/H2体系气相外延层的质量，还研究出低温和低温低压下的外延生长工艺。液相外延工艺是用 Ga/GaAs熔池覆盖衬底表面,然后通过降温以生长外延层,也可采用温度梯度生长法或施加直流电的电外延法。在器件(特别是微波器件)的制造方面,汽相外延的应用比液相外延广泛。液相外延可用来制造异质结(如GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是制造砷化镓双异质结激光器和太阳电池等的重要手段。  4.2砷化镓的外延生长   砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。分子束外延是在超高真空条件下，使一个或多个热分子束与晶体表面相作用而生长出外延层的方法。对入射分子或原子束流施加严格的控制，可以生长出超晶格结构，例如由交替的GaAs和AlxGaAs薄层（厚度仅10埃）所组成的结构。金属有机化合物汽相沉积外延是用三甲基镓或三乙基镓与砷烷相作用而生长外延层。用这种方法也能适当地控制外延层的浓度、厚度和结构。与分子束外延相比，金属有机化合物汽相沉积外延设备和工艺均较简单，但分子束外延层的质量较高。  4.3材料中的缺陷 材料中的深能级缺陷  砷化镓中的杂质和缺陷（特别是深能级缺陷）对器件性能影响很大。作为化合物半导体，砷化镓中的深能级