第6章 光刻工艺.pptVIP

第六章 光刻工艺;6.1 概述;二、 增粘处理;6.2 光刻工艺;正胶：曝光后 可溶 负胶：曝光后 不可溶;二．前烘;三．曝光;四．显影;五．坚膜;六．腐蚀;七．去胶;6.3 光刻方式;二、常规光刻方式 ;几种常见的曝光方法 接触式曝光：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25?m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式;表6.1 三种光学曝光技术对比 ;远紫外线曝光 电子束光刻 离子束光刻 X射线;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 一、 光刻胶 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在??种特定显影溶液中的溶解特性改变 ;显影液;正胶：曝光前不可溶,曝光后可溶 负胶：曝光前可溶,曝光后不可溶;光刻胶的主要性能 (1)灵敏度 (2)对比度 (3)分辨能力 (4)光吸收度 (5)耐刻蚀度 (6)纯度 (7)粘附性 ;二、 光刻掩膜版;掩膜版上的图形 ;3.掩膜版质量的要求;(2)掩膜版的质量要求 ;③图形边缘清晰，过渡小，无毛刺。透光区与遮光区的反差要大(即光密度差要大)，也就是说透光区要能很好地透光并且对光的吸收要小，遮光区要能够很好地阻挡各类光线的通过(包括非曝光光源发射的光)。 ④掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。