镇铅修饰n型硅电极光电解析氧-上海有机化学研究所.PDFVIP

化学学报 ACTA CHIMICA SINICA 1996, 54 , 182-186 镇铅修饰n 型硅电极光电解析氧 李国铮* 王士勋 李怀祥 (山东师范大学化学系 济南 250014) (山东大学化学系 济南 250100) 摘要 本文以 n/n + - Si 半导体为基底，通过碱溶液刻蚀处理和 Ni! Pt 双层金属膜表面修饰后 3 作为光阳极，用于1.0 mo!dm- KOH 溶液中光助电解水析氧.在恒电势1.0V (相对 HgO/Hg 电极)和 90mWcm- 2 65. 2mA cm - 2 ，稳定性实验表明， 光照射下，最佳电极的析氧电流达到 连续光照不超过200 小时，光电极具有良好的抗腐蚀性.对电极表面进行了 X 一光电子能谱 (ESCA) 分析 关键词光电化学，半导体硅电极，光电解析氧，光电子能谱分析 光解水制氢是研究半导体光电化学电池 (PEC) 的目的之一[1] 单晶硅对于可见光的吸 收具有合适的禁带宽度 (E = 1. 12eV) ，所以单晶硅是研究光电化学电池的常用电极材料. g 但是，半导体硅电极在电解质水溶液中容易发生光腐蚀，特别是需要电极上产生氧化性物质 层而使电极失效.克服硅电极表面这种钝化问 (如氧气等)时，表面很快生成不导电的 SiO z . Rajeshwar 对各种半导体电极修饰膜的材料己 题的有效方法是进行半导体表面保护膜修饰 作了详细的论述[2] 但所涉及的大部分光电极都是在远离氧析出电势的氧化还原反应体系 中工作的. 前文给出了金属膜修饰覆盖的半导体硅组成光电化学电池的光电转换特性[3] ，本文报 道Ni! Pt 双层金属膜修饰 n/n+ - Si 电极光助电解水析氧和电极表面 X 一光电子能谱 (ESCA) 分析的结果. 1 实验 1. 1 材料与试剂 山东大学半导体材料厂提供的 n 型外延硅 n/n+ - Si，电阻率为 1.1000 cm/O. 0030 cm，外延层厚度为 14-15μm. 金属修饰材料铅、镶的纯度均为 99.999% .化学试剂均为分 析纯，用前未做进一步纯化.溶液全部用二次蒸锢水配制.高纯氢 (99.99% )作保护气体. 1.2 仪器 DM-200 型高真空镀膜机(上海新跃仪表厂). DMS一 200 型紫外可见分光光度计(美 国 Varian 仪器公司). DHZ-1 型电化学综合测试仪(福建三明市无线电二厂). JG-1 型绝 对功率计(吉林长春市科学仪器厂). 8520A 型数字万用表(美国 Fluke 仪器有限公司) . 3033X- Y 记录仪(四川仪表四厂)， SBD6B 型超低频双束示波器(天津市电子仪器厂) . PHI - 5300 型 ESCA 光电子能谱分析仪(美国 Perkin Elmer 仪器公司) . 1994-03-01 收到.修改稿于 1994-09-15 收到.厦门大学国体表面物理化学国家重点实验室资助的课题. 化学学报 ACTA CHIMICA SINICA 1996 183 1.3 电极制备 用 48% 的 HF 水溶被将 n/n+ - Si 片刻蚀 15min，依次用蒸馆水无水乙醇、丙嗣冲洗， 吹干.其它操作方法同文献 [3] . 1.4 光电化学测量 进行光电化学测量