高能光子在锗中能量沉积的蒙特卡罗模拟.pdfVIP

第 3O卷第 4期 西 安 工 业 大 学 学 报 Vo1．30No．4 2010年 O8月 JournalofXi’anTechnologicalUniversity Aug．2010 文章编号： 1673—9965(2010)04—307—03 高能光子在锗中能量沉积的蒙特卡罗模拟 陈世彬，姚香檀 (西安工业大学 数理系，西安 710032) 摘 要： 电离能量沉积影响半导体器件的瞬时响应特性，研究高能光子在锗 中电离能量沉积 及其分布对锗器件的抗 电离辐射加固研究具有重要的指导意义．利用高能光子反应截面数据 库及蒙特卡罗模拟方法，计算了高能光子在锗中的电离能量沉积及其分布，给出了模拟过程的 具体抽样方法．计算结果表明，在微 电子器件的尺寸范围内，能量沉积与锗厚度成线性关系，每 2MeV光子的能量沉积约为 1．98eV／pm．．通过对结果的分析 ，证明该方法是可行的． 关键词： 7辐射 ；锗；蒙特卡罗；能量沉积 中图号 ：