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CdTe physical properties 碲化镉(CdTe) 的物理性质 Band gap in a semiconductor Metal Insulator Semiconductor 半导体材料的带隙 金属 绝缘体 半导体 Equilibrium carrier concentrations 平衡载流子浓度 CdTe Intrinsic carrier concentration ni(300 K) =1.6*106 cm-3 =1.6 per 100x100x100 μm3 Effective density of states in conduction band Nc =1.7*1017 cm-3 =1.7*1011 per 100x100x100 μm3 碲化镉CdTe Intrinsic carrier concentration ni(300 K) =1.6*106 cm-3 (本征载流子浓度) =1.6 per 100x100x100 μm3 Effective density of states in conduction band Nc =1.7*1017 cm-3 (导带内的有效态密度) =1.7*1011 per 100x100x100 μm3 μ = mobility E = electric field L = crystal thickness CdTe: μh = 100 cm2/V s μe = 1000 cm2/V s E = 1500 V/cm L = 0.075 cm rch=2*106 s-1 rce=2*107 s-1 E L μh μe Our goal : 2*106 s-1 per pixel Conclusions: On the average electrons are fast enough, holes are hitting the roof (cathode)! Transit times μ = mobility 机动性 E = electric field 电场 L = crystal thickness 晶体厚度 CdTe: μh = 100 cm2/V s μe = 1000 cm2/V s E = 1500 V/cm L = 0.075 cm rch=2*106 s-1 rce=2*107 s-1 E L μh μe Our goal : 2*106 s-1 per pixel 目标：2*106计数/秒/像素 Conclusions: On the average electrons are fast enough, holes are hitting the roof (cathode)! 结论：平均而言，电子足够快，空穴撞击到顶点(阴极)！ 通过时间 e – h concentrations 1010 photons per cm2 and s e h CdTe Steady state: nh= 109 cm-3 ne= 108 cm-3 nh= 108 cm-2 ne= 107 cm-2 1 mm thick CdTe e – h concentrations 1010 photons per cm2 and s 1010 光子计数/平方厘米/秒 e h CdTe Steady state稳定状态: nh= 109 cm-3 ne= 108 cm-3 nh= 108 cm-2 ne= 107 cm-2 1 mm thick CdTe 1毫米厚的碲化镉晶体 Energy resolution Hecht equation: Charge trapping 40keV photon absorption distance from Anode (L=0.75mm) V=100 V 能量分辨率 Hecht equation: 赫克特方程： Charge trapping 电荷俘获 40keV photon absorption distance from Anode (L=0.75mm) 从阳极(L=0.75mm)开始40KeV光子的吸收距离 V=100 V Energy resolution Hecht equation: Charge trapping Histogram: 40keV CCE 能量分辨率 Histogram直方图: 40keV CCE Hecht equation: 赫克特方程： Charge trapping 电荷俘获 CCE：charge Minimum bias voltage Hecht equation: Charge t
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