数字电子技术基础课件作者焦素敏第02章节.ppt

第2章 逻 辑 门 电 路 2.1 二极管和三极管的开关特性 2.2 基 本 逻 辑 门 电 路 2.3 TTL 逻 辑 门 电 路 2.4 其他类型的TTL门电路 2.5 CMOS反相器门电路 2.6 其他CMOS门电路 2.7 正 负 逻 辑 问 题 2.8 门电路在实际应用中应注意的问题 2.1 二极管和三极管的开关特性 用来接通或断开电路的开关器件应具有两种工作状态：一种是接通（要求其阻抗很小，相当于短路），另一种是断开（要求其阻抗很大，相当于开路）。 2.1.1 二极管的开关特性 1. 静态特性 由图2.1可以看出，二极管加正向电压时导通，伏安特性很陡、压降很小（硅管为0.7V，锗管为0.3V），可以近似看作是一个闭合的开关。二极管加反向电压时截止，反向电流很小（nA级），可以近似看作是一个断开的开关。把uDUT=0.5V看成是硅二极管的截止条件。 2. 动态特性 在低速脉冲电路中，二极管开关由接通到断开，或由断开到接通所需要的转换时间通常是可以忽略的。然而在数字电路中，二极管开关经常工作在高速通断状态。由于PN结中存储电荷的存在，二极管开关状态的转换不能瞬间完成，需经历一个过程。二极管开关的转换过程如图2.2所示。 tre=ts+tf叫做反向恢复时间。该现象说明，二极管在输入负跳变电压作用下，开始仍然是导通的，只有经过一段反向恢复时间tre之后，才能进入截止状态。由于tre的存在，限制了二极管的开关速度 。 2.1.2 三极管的开关特性 由三极管的工作原理可知，三极管的输出特性可划分为3个区域：截止区、放大区和饱和区。三极管在输入信号的作用下稳定地处于饱和区时就相当于开关接通；处于截止区时相当于开关断开。 1. 饱和导通条件及饱和时的特点 （1） 饱和导通条件 在三极管工作过程中，若基极电流iB大于临界饱和时的数值IBS，则一定饱和导通。 （2） 饱和时的特点 对硅管来说饱和导通以后uBE≈0.7V，uCE=UCES≈0.3V，如同闭合了的开关。 2. 截止条件及截止时的特点 （1） 截止条件 当uBE0.5V时，管子基本上是截止的，uBEUT=0.5V（UT是硅管发射结的死区电压）。 ?（2） 截止时的特点 三极管截止时，iB≈0、iC≈0，如同断开了的开关。 3. 动态特性 晶体三极管在截止状态和饱和状态之间转换时的过渡特性称为三极管的动态特性。 假如在三极管基极输入一个理想的矩形波，而集电极电流iC的波形却不是理想的矩形波，如图2.4所示，其上升沿和下降沿变化缓慢，而且上升部分和下降部分与输入波形相比都有时间延迟。这说明三极管饱和与截止状态之间的转换过程需要一定的时间才能完成，即三极管开关在动态情况下也存在一定的开关时间。开关时间的大小将直接影响三极管的开关速度。 2.2 基 本 逻 辑 门 电 路 在数字系统中，大量地运用着执行基本逻辑操作的电路，这些电路称为基本逻辑电路或门电路。早期的门电路主要由继电器的触点构成，后来采用二极管、三极管，目前则广泛应用集成电路。 2.2.1 三种基本门电路 1. 二极管与门电路 实现“与”逻辑关系的电路叫做与门电路。由二极管组成的与门电路如图2.5（a）所示，图2.5所示（b）为其逻辑符号。图中A、B为信号的输入端，Y为信号的输出端。 对二极管组成的与门电路分析如下。 （1） A、B都是低电平 uY≈0V （2） A是低电平，B是高电平 uY≈0V （3） A是高电平，B是低电平 uY≈0V （4） A、B都是高电平 uY≈5V 从上述分析可知，该电路实现的是与逻辑关系，即“输入有低，输出为低；输入全高，输出为高”，所以，它是一种与门。 2. 二极管或门电路 实现或逻辑关系的电路叫做或门电路。由二极管组成的或门电路如图2.6所示，其功能分析如下。 （1） A、B都是低电平 uY=0V （2） A是低电平，B是高电平 uY≈5V （3） A是高电平，B是低电平 uY≈5V （4） A、B都是高电平 uY≈5V 通过上述分析，该电路实现的是或逻辑关系，即“输入有高，输出为高；输入全低，输出为低”，所以，它是一种或门。 3. 三极管非门 实现非逻辑关系的电路叫做非门电路。因为它的输入与输出之间是反相关系，故又称为反相器，其电路如图2.7所示。 2.2.2 DTL与非门? 采用二极管门电路和三极管反相器，可组成与