模拟电子技术及应用课件作者李继凯第1章节半导体二极管及其应用电路.ppt

1.N型半导体 2.P型半导体 1.2.2 二极管的伏安特性曲线 1.2.3 二极管的主要参数 稳压管组成的限幅电路 在电压比较器中，为保护运放输入端，需限制其输入电压幅值；为适应负载对电压幅值的要求，输出端需加限幅电路。 5 5 0 5 5 0 0 0 D2状态 D1状态 v O/V v I2/V v I1/V 例1.2.3 导通 导通 0 导通 截止 0 截止 导通 0 截止 截止 5 解： 3. 开关电路（二极管与门） 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 Y v I2 v I1 (1) 输入保护 4 集成运放输入（输出）保护电路 (2) 电源保护 输入端保护电路使净输入电压最大值为±VD 第1章 作业 1.1 1.2 直接做在书上。 1.3 1.4 1.7 1.8 1.9 UOH＝＋ UZ1＋ UD2 必要吗？ ＋ － UOL＝－( UZ2 ＋ UD1) UOH＝ UZ UOL＝－ UD 锗管 输出低电平接近零的限幅电路 例4：图示电路，已知发光二极管的导通电压为1.6V，正向电流为5 ～ 20mA时才能发光。试问： （1）开关处于何位置时发光二极管可能发光? （2）为使发光二极管发光，电路中R的取值范围是多少? 解：1） 开关断开时。 2） R的取值范围是220 ～880 ?。 例3.2.1 图示电路，二极管导通电压为0.7V，试分别估算开关断开和闭合时输出电压的数值。 解：1）开关断开时。 2）开关闭合时。 尚辅网 / 模拟电子技术基础 第1章 半导体二极管及其应用电路 半导体基础知识 1.1 半导体二极管 1.2 二极管组成的基本应用电路 1.3 1.1.1 本征半导体 1.1 半导体基础知识 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅、锗、硒、砷化镓等。 常用的半导体材料是硅（Si）和锗（Ge），它们都是4价元素， 原子的最外层轨道上都有4个价电子， 完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子。 自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴。 共价键 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。 动态平衡 本征激发 复合 运载电荷的粒子称为载流子，半导体中有两种载流子参与导电 。 外加电场时，自由电子作定向运动形成 电子电流。 价电子递补空穴的运动形成 空穴电流。 总电流是电子电流和空穴电流之和。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。 在本征半导体中掺入五价元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。 磷（P） 多数载流子——自由电子 少数载流子——空穴 施主原子 N型半导体主要靠电子导电，掺入杂质越多，电子浓度越高，导电性越强。 在本征半导体中掺入三价元素，例如硼、镓等，称为P型半导体。 多数载流子——空穴 少数载流子——自由电子 硼（B） 受主原子 P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强。 少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关 1.1.3 PN结 1.PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 扩散运动 P区空穴浓度远高于N区。 N区自由电子浓度远高于P区。 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低，产生内电场。 因内电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 漂移运动 由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子，形成内电场，从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。 2. PN结的单向导电性 （1）PN结外加正向电压 PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。 2. PN结的单向导电性 （2）PN结外加反向电压 PN结加反向电压截止： 耗尽层变宽，阻止扩散运动，有利于漂移运动，形成漂移电流。由于电流很小，故可近似认为其截止。 3. PN结的电容效应 PN结具有一个与此等效的电容，称之为结电容。 结电容一般都很小，结面积小的约1pF左右，结面积大 的大约几十至几百pF。 对于低频信号呈现很大的容抗，其作用可以忽略不计， 只有在信号频率较高时才考虑结电容的影响。 若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 清华大学