RENA前后清洗工艺培训教程.ppt

4.去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O 去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。 后清洗工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。 Etch bath Rinse1 Alkaline Rinse Rinse2 HF bath Rinse3 Dryer2 5.后清洗设备构造 Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为HF+HNO3+H2SO4， 作用：边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。 Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH， 作用：中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF， 作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去PSG 后清洗机台的操作界面，基本的工艺要求，换药规程等、基本都都同于前清洗设备，在此不再累述。 需要注意的是：后清洗刻蚀槽处的排风很重要 后 清 洗 常见故障 原因及解决方法 表面过刻大于 两毫米 a 观察速度是否小于0.7m/min，如果小于此参数，需要添加药 液提高速度。添加时以2升HNO3，1升HF, 1升H2SO4为一个单位进行补液。也可单独补加硫酸增加硅片浮力。水在此设备中不建议加入。所以补液时需要小剂量进行补液，否则如果补液过多导致异常，十分麻烦。 b 通知放片时尽量将片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意叠片 c 将流量降低，降低液面高度，但是需要观察片子是否能与溶液充分 接触。 d 将窗户打开一些调节排风 硅片边缘颜色发黑 碱浓度不够，添加碱溶液（单补2L碱） 硅片表面有 大面积黄斑 观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环 非扩散面有 较重滚轮印 a增加流量，但需注意过刻（以一个流量为单位）　　　　　　　　 b通知工艺技术员或工程师添加药液，提高液面 刻蚀深度不稳定 a观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为 不同的片子会对应不同的刻蚀速率。 b查看溶液颜色，正常的颜色应该是黄色。如果觉得颜色过浅，则流 假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。 五、RENA设备常见报警信息 RENA设备常规报警说明 HF-HNO3 bath pumptank overfilled 将酸从bath槽排入tank中时，由于溶液过多导致设备报警。 查看后面tank上最上面的液位传感器是否误报警？如果有通知设备维修。如果没有，排掉一部分溶液是必须的。点击system drain ，同时在屏幕上观察第一个液位传感器是否由红色转为灰色。如果变成灰色，立即点击stop.然后点击F1消除报警信息 media cabinet HNO3 tank tank empty 通知外围换HNO3，（HCL HF KOH同理可得） general output waferjam trace7 出片时第七道有叠片，如果没有叠片，此类报警不必理会 media cabinet HCL tank door not closed 一楼化学药间HCL的门没有关好（一般是在外围换液时出现），如果确定外围没有换液，通知设备调整传感器 HCL drainning valve blocked 一有此类报警，立即通知设备处理，阀门被堵 rinse alkaline 1 bath general bath protection against dry running 碱槽溶液不够，加液同时手动打开碱循环（一般不需要理会，所以如果频繁出现，请通知设备检查风刀以及滤芯是否正常． coolingunit cryostat prealarm