一维石墨烯超晶格上的氢吸附.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 19 (2014) 197301 一维石墨烯超晶格上的氢吸附 黄向前 林陈昉 尹秀丽 赵汝光 王恩哥 胡宗海 1)(北京大学物理学院, 人工微结构与介观物理国家重点实验室, 北京 100871) 2)(量子物质协同创新中心, 北京 100871) 3)(北京大学国际量子材料科学中心, 北京 100871) ( 2014 年5 月6 日收到; 2014 年5 月30 日收到修改稿) 通过化学气相沉积法在一种典型的高指数面铜(410)-氧上制备出了一维石墨烯超晶格, 并利用拉曼光谱 (Raman)、低能电子衍射(LEED)、扫描隧道显微术(STM) 等方法研究了氢原子在该超晶格上的吸附. 实验结 果揭示了由于超晶格的调制作用所引起的无缺陷石墨烯区域的选择性吸附, 氢原子优先吸附在石墨烯超晶格 一维周期中的相同部位. 这一发现为进一步通过一维超晶格调控石墨烯的性质提供了更多可能. 在石墨烯上 的吸附氢原子除了单个或成对存在之外, 实验还首次观察到一种新的三氢原子位型. 关键词: 扫描隧道显微镜, 石墨烯, 一维超晶格, 氢吸附 PACS: 73.22.Pr, 73.21.Cd, 68.37.Ef, 68.65.Cd DOI: 10.7498/aps.63.197301 原子在石墨烯上将随机吸附, 以单体、最近邻位双 1 引 言 体或对位双体的形式无规分布在表面23−25 . 而在 有其他扰动比如局域曲率变化或缺陷附近, 吸附势 石墨烯因其独特的物理性质和巨大的应用潜 26 垒会降低, 使得氢原子的吸附表现出选择性 . 12 力 , 成为近年研究的一个热点. 通过化学气相 另一方面, 石墨烯超晶格的周期势可引起多 沉积法(chemical vapor deposition, CVD) 已经能 种有趣的性质改变, 例如产生新的狄拉克点、准粒 够在金属衬底上生长出大面积、高质量的单层石墨 子群速度的重整化、狄拉克锥的变形等1819 . 在 烯样品3−7 . 由于石墨烯是一种零带隙的半导体, 27 近期的研究 中已经证明, 在铜上通过CVD 法生 不能直接应用于一些传统半导体器件, 所以研究人 员通过各种方法试图改变石墨烯的能带结构. 这些 长石墨烯, 如果铜衬底的(100) 方向近邻晶面存在 方法包括制备石墨烯纳米带8−10 、制备少层石墨 氧原子插层, 则生长出的样品会产生稳定且大面 烯1112 、对石墨烯进行化学改性13−17 和施加周 积的Cu(410)-O 重构面, 石墨烯的几何起伏和电子 期势1819 等. 其中, 石墨烯的氢化改性20−26 受到 态密度会受到该高指数面的调制, 从而形成准一 了很大的关注. 已有的理论和实验