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以反应性气体氮射频溅镀成长氧化锌薄膜之拉曼光谱研究.PDF
Nanometer-Scale Technology and Materials Symposium 2013
Changhua, Taiwan, 13, December 2013
以反應性氣體氮射頻濺鍍成長氧化鋅薄膜之拉曼光譜
研究
陳學賢 1 張文福 2 宋皇輝 1,2
1 大葉大學材料科學工程學系
2 大葉大學電機工程學系
彰化縣大村鄉學府路 號
168
摘 要
利用 99.99%的氧化鋅粉體製成靶材，以磁控濺鍍系統，利用針閥控制氬氣與氮氣比例，透
過濺射原子與氮氣化合後沉積於基板表面，製備摻氮氧化鋅(ZnO:N)薄膜。所成長氧化鋅薄膜
經 XRD 確認主要為 c 軸垂直於基板平面的六角纖鋅礦相，並觀察探討摻氮對氧化鋅薄膜導電
機制的影響。發現室溫下所製備 導電特性皆為 型，而鍍膜時提高基板至 、
ZnO:N n 200°C 300°C
則可使導電特性呈現 p 型。進而分析導電特性與拉曼譜線的關聯，發現導電特性明顯影響 575
cm-1 的相對強度。
關鍵詞：拉曼光譜，氧化鋅摻氮，射頻磁控濺鍍，p 型導電性
Study of Raman Spectrum of ZnO Thin Films Deposited by
RF Magnetron Sputtering with N2 Reactive Gas
1 2 1,2
HSUEH-HSIEN CHEN ,WEN-FU CHANG , HUANG-HUEI SUNG
1
Department of Materials Science and Engineering, Da-Yeh University,
2Department of Electrical Engineering, Da-Yeh University
Dacun Changhua 51591, Taiwan
ABSTRACT
The N-doped zinc oxide (ZnO:N) thin films were prepared by rf magnetron sputtering with the
target made by 99.99% zinc oxide powder. The ratio of argon and nitrogen is controlled by a needle
valve. The
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