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小尺寸SiGe量子点内应变和组分的拉曼光谱表征.PDF
第 卷 第 期 光 散 射 学 报
16 3 VOl.16 NO.3
年 月
2004 10 CHINESEJOURNALOFLIGHTSCATTERING Oct. 2004
文章编号： （ ）
1004-5929 2004 03-0203-05
小尺寸 ／ 量子点内应变和组分的拉曼光谱表征!
si Ge
，
1 2 1 1 2 2 2
谭平恒 ，周 霞 ，杨富华 ， ， ，
K. Brunner D. BOu eard G.Abstreiter
g
（ 半导体超晶格国家重点实验室，中科院半导体研究所，北京， ；
1. 100083
， ， ， ）
2. Walter SchOttk Institut TechnischeUniversit t Minchen D-85748 Garchin German
y g y
摘 要：本文详细地研究了原始生长和退火处理后的 ／ 量子点的拉曼光谱。我们观测到了 ／ 量
Si Ge Si Ge
子点的一系列本征的拉曼振动模以及 模的 和 声子峰间 -1的频率劈裂。通过这些参
Ge-Ge LO TO 4.2cm
数，我们自洽地确定了原始生长的平面直径为 和高为 的 ／ 量子点内 的平均组分为
20nm 2nm Si Ge Ge
，平均应变为 。分析清楚地表明了这种小尺寸的 ／ 量子点内的应变仍遵从双轴应变，并且
80% -3.4% Si Ge
应变的释放主要由量子点和 隔离层间 原子互扩散决定。
Si Si-Ge
关键词：量子点；拉曼光谱；应变；组分； 原子互扩散
Si-Ge
中图法分类号： 文献标识码：
O657.37 A
Raman characterization of strain and composition in
／
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