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无机材料的薄膜电致发光3
正比. 但是在处理Anderson 局域和光子禁带中 [ 4 ] Ho K M , Chan C T , Soukoulis C M. Phys. Rev. Lett. ,
的缺陷态等问题时 ,计算量剧增 ,这种情况下用 1990 ,65 :3152 —3155
[ 5 ] Yablonovitch E , Gmitter T J , Leung K M. Phys. Rev.
转移矩阵方法比较方便.
Lett. ,1991 ,67 :2295 —2298
引入缺陷的光子晶体在激光或光学回路中
[ 6 ] Brown E R ,McMahon O B. Appl. Phys. Lett. ,1996 ,68 :
有广泛的应用 ,计算有单点缺陷、多点缺陷、线 1300 —1302
缺陷以至表面态的光子晶体能带可以用超元胞 [ 7 ] Hirayama H , Hamano T ,Aoyagi Y. RIKEN Super Com
法进行平面波展开[9 ,16 ] ; 当混有多种缺陷时 , puting Prog. Rep. ,1996 ,1 :1
可采用格林函数法[17 ,18 ] . [ 8 ] Hirayama H , Hamano T , Aoyagi Y. Appl. Phys. Lett. ,
1996 ,69 :791 —793
上述的理论计算方法只是在给定光子晶体
[ 9 ] Yablonovitch E , Gmitter T J , Meade R D. et al . Phys.
的结构组成后才能定量定性地得出准确的结 Rev. Lett. ,1991 ,67 :3380 —3383
( [ 10 ] Smith D R , Dalichaouch R , Kroll N et al . J . Opt. Soc.
论. 虽然我们知道有几个参数 如介电常数比、
) Am. B ,1993 ,10 :314 —321
填充比、晶格结构等 对光子禁带有影响 ,但“到
底是什么物理机制在光子禁带的形成中起了决 [ 11 ] Lin SY ,Hietala V M ,Lyo S K. Appl. Phys. Lett. ,1996 ,
68 :3233 —3235
定作用 ?”,也就是“怎样从物理上定性、定量或
[ 12 ] Pendry J B , Mackinnon A. Phys. Rev. Lett. , 1992 , 69 :
者半定量地分析和设计光子禁带 ?”尚没有明确 2772 —2775
的答案. 例如 ,如果要得到一定频率
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