模拟与数字电路宁帆张玉艳第6章逻辑门电路.pptVIP

第6章逻辑门电路 6.1TTL逻辑门电路 6.1.1TTL反相器的电路结构和工作原理 6.1.2其他逻辑功能的TTL门电路 6.1.3其他类型的TTL门电路 6.1.1 TTL反相器的电路结构和工作原理 6.1.2其他逻辑功能的TTL门电路 6.1.3其他类型的TTL门电路 6.2其他类型的双极型数字集成电路 6.3CMOS门电路 6.3.1MOS管的开关特性 6.3.2CMOS反相器 6.3.3其他类型的CMOS门电路 6.3.1MOS管的开关特性 6.3.2CMOS反相器 6.3.3其他类型的CMOS门电路 6.4NMOS集成电路 小结 图6-3-14CMOS双向模拟开关外接负载的情况 6.CMOS三态门电路 （1） 串联型三态门电路 CMOS三态门的电路结构大体上有三种形式。 图6-3-15串联型CMOS三态门 这种电路结构是在反相器的基础上串接一个增强型MOS管并增加一个门电路而形成的，图6-3-16（a）所示为或非门控制的三态门电路结构，图6-3-16（b）所示为与非门控制的三态门电路结构。 （2） 门控制型三态门 图6-3-16门控制CMOS三态门 电路结构是在反相器的输出端串接一个CMOS模拟开关，作为输出状态的控制开关，如图6-3-17所示。 （3） 模拟开关控制三态门 图6-3-17CMOS模拟开关控制三态门 主要的改进形式有两种。 一种是高速的CMOS电路，采用工艺改进模式，减小沟道的长度，缩小整个MOS管的尺寸，从而降低了寄生电容的数值，其平均传输延迟时间小于10ns。 这种CMOS门电路的通用系列为54HC/74HC系列，该产品使用＋5V电源，输出电平与TTL电路兼容。 另一种是双极型－CMOS电路（Bipolar－CMOS，Bi－CMOS）。 1. NMOS反相器电路 全部采用NMOS管组成的集成电路称为NMOS电路。 图6-4-1所示是带有源负载的NMOS反相器，VT1为增强型的驱动管，VT2是负载管。 图6-4-1NMOS反相器电路 将两个VT1、VT2驱动管并联在一起，VT3作为公共负载管，就可构成两输入端的或非门增加并联驱动管的个数。 电路如图6-4-2所示。 2. E/E型NMOS或非门 图6-4-2E/E型NMOS或非门电路 NMOS与非门电路如图6-4-3所示，其中两个驱动管VT1和VT2串联在一起，接负载管VT3。 3. E/E型NMOS与非门 图6-4-3E/E型NMOS与非门电路 图6-3-1NMOS的基本开关电路和其特性曲线 由图6-3-1（a）MOS管开关电路可以看出，当ui≤UT时（ui=uGS），MOS管工作在截止区，只要漏极负载电阻RD远远小于MOS管的截止电阻RDS OFF，在输出端就会输出高电平UoH≈UDD，此时的漏源极间相当于一个断开的开关。 只要电路参数选择合理，就可以做到输入为低电平时MOS管截止，开关电路输出高电平；而输入为高电平时MOS管导通，开关电路输出低电平。 2. MOS管的开关特性 CMOS逻辑门电路是目前应用较为普遍的逻辑电路，它同NMOS一样，适宜制作大规模集成电路（如存储器和微处理器等），下面先讨论CMOS反相器，然后再介绍其他CMOS逻辑门电路。 CMOS反相器如图6-3-2所示，它由一对增强型NMOS和PMOS管组成，其中VT1为驱动管，而VT2为负载管。 图6-3-2CMOS反相器 在正常工作时，VT1和VT2管总是一个导通而另一个截止，即工作在互补状态。 因此，被称为互补对称式MOS电路（Complementary-Symmetry MOS Circuit，CMOS电路）。 1. CMOS反相器的工作原理 2.CMOS反相器电压传输特性和电流特性 （1） 电压传输特性 图6-3-3（a）所示为CMOS反相器的电压传输特性。 图中分为五段，下面讨论各段的工作情况。 图6-3-3CMOS反相器的电压传输特性和电流特性 图6-3-2示出了UDD为15V和10V不同值时CMOS反相器的电压传输特性。 图6-3-2示出了UDD为15V和10V不同值时CMOS反相器的电压传输特性。 （2） 输入噪声容限 图6-3-2CMOS反相器 由图6-3-3（b）中可以看到，输入电压ui在1/2UDD附近时，VT1和VT2管同时导通，输出电流最大，出现了一个尖峰。 （3） 输入电流特性 图6-3-3CMOS反相器的电压传输特性和电流特性 由于MOS管的二氧化硅绝缘层很薄，存在较大的电容效应，极易被击穿（耐压约100V），所以必须采取保护措