太阳能电池片PECVD工艺生产流程.pptVIP

PECVD设备 PECVD等离子体源简图 PECVD电池片检验标准 看颜色是否合格（合格的颜色为深蓝，蓝色，淡蓝） 色差和水印不超过整体面积的5% 镀膜后的折射率在2.0—2.20，膜厚在80 ±5nm（生产过程中取每批次任意6片进行折射率和膜厚的测定） 镀膜后电池片 PECVD异常处理 Thank you! 冷却水＊６ 石英管＊６ 温度设置 速度设置 气压设置 设置功率 实际功率 反射比率 角阀 气体流量 冷却水＊４ 微波发生器 真空腔 基片 正常片 常见缺陷 表面发白 表面脏片 色差 白点 水纹片 重新开腔擦拭密封圈或更换密封圈、更换或重装石英管或其管口密封圈，严重时用氦检仪做漏气点检查并排除异常。 腔体有漏气 压强达不到工艺要求 有挂钩变形的载板要及时更换，传动轴擦拭或有异常请设备检修。 载板挂钩变形或传动轴异常 腔体内有硅片碎片 调整NH3和SiH4流量比例使折射率达到要求。 折射率不在范围内 沉压后颜色异常 停止工艺，重新安装微波天线或更换石英管。 微波反射功率异常，或微波有泄漏 镀膜颜色不稳定 调整带速至颜色符合要求，偏紫增加带速，偏蓝降低带速。 氮化硅层厚度偏离正常范围 整体镀膜颜色不符合要求 措施 诊断 异常 PECVD 部门：电池片部 PECVD的介绍 PECVD: Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 等离子增强化学气相沉积 等离子体： 由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。 PECVD的目的 在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。减少光的反射，增加电池对光线的吸收。 对电池的正表面进行H钝化 对电池正表面进行保护，防止氧化 SiNx:H SiNx:H介绍 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H Si/N比对SiNx薄膜性质的影响 1.电阻率随x增加而降低 2.折射率n随x增加而增加 3.腐蚀速率随密度增加而降低 PECVD的钝化作用 由于太阳电池级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少子寿命及扩散长度降低从而影响电池的转换效率。 H的钝化机理: 主要原因是:H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。 PECVD的钝化作用 钝化太阳电池的受光面 钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响，半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。 钝化太阳电池的体内 在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。 PECVD对电性能影响 1.减反射膜提高了对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，起到提高电流进而提高转换效率的作用。 2.薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，从而提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。 PECVD:直接式 PECVD:间接式 间接PECVD的特点： 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进入反应腔。 间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。 PECVD的工艺原理 通入的特气（硅烷和氨气）在高温和微波源的激发下电离，形成等离子态，并沉积在硅片的表面。膜的厚度主要与温度，腔体内微波源的功率和镀膜时间有关。 反应室通入反应气体 硅烷 SiH4 氨气 NH3 在微波源的激发下电离形成等离子态 SiNx:H沉积在硅片上 等离子体产生图例 SixNyHz的形成过程 PECVD特气的性质（1） 氨气（NH3）: 是一种刺激性、无色、气体。 氨气会严重灼伤眼、皮肤及呼吸道。当它在空气中的浓度超过15%时有立即造成火灾及爆炸的危险。 暴露在氨气中会对眼睛造成中度到重度的刺激。氨气强烈地刺激鼻子、喉咙和肺。症状包括灼伤感、咳嗽、喘息加重、气短、头痛及恶心。过度暴露会影响中枢神经系统并会造成痉挛和失去知觉。暴露在5000ppm下5分钟会造成死亡。 紧急救助 眼睛接触：用大量的水冲洗，立即进行医疗处理。 吸入：将人员移到空气清新处，若呼吸困难，则输氧，并迅速进行医务处理。 皮肤接触：用大量水冲洗，立即脱掉被污染的衣服，并立即进行药物处理。 PECVD特气的性质（2） 硅烷(SiH4): 是一种无色、与空气反应并会引起窒息的气体。 硅烷