微电子工艺之薄膜技术.ppt

第三章 薄膜技术 薄膜类型 ①外延薄膜－器件工作区 ②掩蔽膜－实现定域工艺 ③绝缘介质膜－表面保护、钝化、隔离 ④金属膜及多晶膜－电极引线及栅电极 薄膜材料 ①半导体材料－Si、GaAs、GaN、SiC、SiGe ②金属材料－Al、Au、Pt、Ni、Cu、W ③无机材料－SiO2 、Si3N4 ④有机材料 第三章 薄膜技术 薄膜制备 ①间接生长法：制备薄膜所需的原子或分子通过化学反应得到。 包括：气相外延、热氧化、化学气相淀积（CVD) 等。 ②直接生长法：制备薄膜所需的原子或分子不通过化学反应，直接转移到衬底上。 包括：液相外延、固相外延、分子束外延（MBE) ）、真空蒸发、溅射、涂敷等 第三章 薄膜技术 本章重点：Si同质外延薄膜；SiO2薄膜。 §3.1 硅外延薄膜制备原理 外延（epitaxy):在单晶衬底上生长一层新的单晶的方法（技术）。 特点：①沿衬底的晶向方向生长；②外延温度低于晶体的熔点；③外延层可与衬底形成突变PN结。 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片:生长了外延层的衬底。 §3.1 硅同质外延薄膜制备原  理 外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延 液相外延 固相外延 MBE（分子束外延） §3.1 硅同质外延薄膜制备原 理 ②按材料分类 同质外延：外延层材料与衬底材料相同。 异质外延：外延层材料与衬底材料不相同，如外延SiGe、GaN、SiC、SOS(Silicom on Sapphire)、SOI(Silicom on Insulators) ③按压力分类 常压外延 低压（减压）外延 一、外延生长动力学原理 1.生长过程—H2还原SiCl4体系 生长反应： SiCl4 + 2H2＝Si(s)+4HCl(g) 腐蚀反应： SiCl4+ Si(s) ＝2SiCl2 中间生长反应： SiCl4 + H2＝SiHCl3 +HCl SiCl4 + H2＝SiCl2+2HCl SiHCl3 + H2＝ SiH2Cl2 +HCl SiHCl3 ＝ SiCl2+HCl SiH2Cl2 ＝SiCl2+H2 一、外延生长动力学原理 生成的SiCl2吸附在衬底表面： 2SiCl2=Si(s)+SiCl4 SiCl2+H2=Si(s)+2HCl 一、外延生长动力学原理 外延生长的步骤 ①传输（扩散）：反应物从气相转移到Si表面； ②吸附：反应物吸附在Si表面； ③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物 ④脱吸：副产物脱离吸附； ⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室 ⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上； 一、外延生长动力学原理 外延生长速率:与化学反应动力学、吸（脱）附动力学、扩散动力学有关，取决于最慢者。 ①常压外延：取决于扩散与化学反应； ②低压外延：取决于吸附与化学反应。 2.生长动力学原理 ①简单的生长模型：假定反应器空间尺寸与基 座相比，可视为无限大，且温度均匀。 一、外延生长动力学原理 ②速度附面层：速度分布受到扰动的区域，也称滞留层 自由流体：速度附面层以外的流体。 附面层厚度δu:在该处的流速是自由流体流速uT的99％。 式中，τ－气体粘滞系数；ξg－气体密度；βn－无量纲常数，线性分布βn＝ 。 若基座的长度＝L，则 一、外延生长动力学原理 uT=M/S，M—气体流量，S—反应器截面积。 ③质量附面层δN：小于δN，浓度分布不均匀； 大于δN，浓度分布均匀。 假定在δN内，浓度呈线性分布，则 ，0≤y≤ δN 式中，NG– δN内的反应剂浓度；NGS—外延层表面反应 剂浓度；NG0–δN外的反应剂浓度. ； 一、外延生长动力学原理 设外延层表面反应剂离子流密度为J1,则 式中，DG－反应剂在H2中的扩散系数；hG－反应剂的气相转移系数（hG=DG/ δN≈DG/ δu)。 设外延层表面消耗的离子流密度为J2，则 J2=ksNGS ks－表观化学反应速率常数. 平衡时， |J1|=J2=J，则 一、