教案7.1三极管.ppt

晶体管及其应用 第 7 章 7.1　 PN 结及其单向导电性 7.2　晶体二极管及其应用 7.3　晶体三极管及其放大电路 7.4　晶闸管简介 半导体的基本特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 7.1 PN结及其单向导电性 一、基本概念 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 两种载流子 Si Si Si Si 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价键中的两个电子，称为价电子。 本征激发 — 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 两种载流子 Si Si Si Si 自由电子 空穴 价电子 载流子 — 自由运动的带电粒子。 自由电子(带负电) 空穴(带正电) 电子空穴成对出现，数量少、与温度有关。 N型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素，如磷、砷（杂质）所构成。 正离子 多数载流子 少数载流子 电子为多数载流子 空穴为少数载流子 载流子数 ? 电子数 P型半导体 — 在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素，如棚、铟（杂质）所构成。 负离子 多数载流子 少数载流子 空穴 — 多子 电子 — 少子 载流子数 ? 空穴数 电中性 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 二、PN结的形成 1. 载流子的浓度差引起多子的扩散 2. 交界面形成空间电荷区(PN结)，建立内电场 空间电荷区特点: 无载流子， 阻止扩散进行， 利于少子的漂移。 3. 扩散和漂移达到动态平衡，形成PN结。 扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 内建电场 载流子在电场作用下的定向运动 PN 结的形成 三、PN结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置)（P+、N– ） P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 2. 外加反向电压(反向偏置) （P–、N+） P 区 N 区 ? + U R 内电场 外电场 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 IR 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 PN 结的单向导电性 PN 结的单向导电性： 正偏呈低阻导通 正向电流IF较大; 反偏呈高阻截止， 反向电流为IR很小。 7.2 晶体二极管及其应用 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) P N 阳极 阴极 符号： 阳(正)极 a k 阴(负)极 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按用途分 普通二极管 整流二极管 稳压二极管 开关二极管 按结构工艺分 点接触型 面接触型 平面型 点接触型 阳极 引线 触丝 N 型锗片 管壳 阴极 引线 特点： PN结面积小 结电容小 适于高频、小电流 应用： 小功率整流 高频检波 开关电路 阴极引线 面接触型 N型硅 PN 结 阳极引线 铝合金 小球 支架 金锑 合金 特点： PN结面积大 结电容小 适于低频、大电流 (几百毫安以上) 应用：整流 阳极引线 阴极引线 集成电路中的 平面型 P N P 型支持衬底 常用二极管外形图 2CZ54 2CZ13 2CZ30 2AP 1N4001 + – + – + – + – 1.1.3 半导体二极管的伏安特性 一、二极管的伏安特性方程 反向饱和电流 温度的 电压当量 电子电量 1.602 ?10–23C 玻尔兹曼常数1.38?10–23J/K 当 T = 300(27?C)：