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第一章 晶体二极管及其应用 §1-1 半导体基础知识 半导体特性 本征半导体 §1-2 PN结与晶体二极管 §1-3 光电二极管与发光二极管 §1-4 二极管的应用 特殊类型的二极管 ? 变容二极管 利用结势垒电容CT随外电压U的变化而变化的特点制成的二极管。 符号： 注意：使用时，应加反向电压 光电二极管 发光二极管 光 电 二 极 管 ? 定义： 有光照射时，将有电流产生的二极管 ? 类型： PIN型、 PN型、 雪崩型 ? 结构： 和普通的二极管基本相同 ? 工作原理： 利用光电导效应工作，PN结工作在反偏态，当光照射在PN结上时，束缚电子获得光能变成自由电子，形成光生电子—空穴对，在外电场的作用下形成光生电流 D ED D RL UD IP 注意：应在反压状态工作 UD= -IPRL 发 光 二 极 管 ? 定义： 将电能转换成光能的特殊半导体器件，当管子加正向电压时，在正向电流激发下，管子发光，属电致发光 ? 常用驱动电路： 直流驱动电路 交流驱动电路 注：在交流驱动电路中，为了避免发光二极管发生反向击穿，通常要加入串联或并联的保护二极管 发光二极管只有在加正向电压时才发光 整流电路 滤波电路 显示电路 * §1-1 半导体基础知识 §1-2 PN结与晶体二极管 §1-3 光电二极管与发光二极管 §1-4 二极管应用 小结 半导体的特性 本征半导体 杂质半导体 ? 何谓半导体 物体分类 导体 — 导电率为105s.cm-1，量级，如金属 绝缘体 — 导电率为10-22-10-14 s.cm-1量级，如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之间。如：硅、锗、砷化镓等。 半导体 ? 半导体特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 温度特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光照特性 光敏器件 光电器件 本征半导体 本征半导体 完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。 常用的本征半导体 Si +14 2 8 4 Ge +32 2 8 18 4 +4 ? 本征半导体的原子结构和共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 价带 导带 挣脱原子核束缚的电子 称为自由电子 价带中留下的空位 称为空穴 禁带EG 外电场E 自由电子定向移动 形成电子流 束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流 1 2 本征半导体 1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 它们是成对出现的 2. 在外电场的作用下，产生电流 — 电子流和空穴流 电子流 自由电子作定向运动形成的 与外电场方向相反 自由电子始终在导带内运动 空穴流 价电子递补空穴形成的 与外电场方向相同 始终在价带内运动 由此我们可以看出： 本征半导体 ? 本征半导体的载流子的浓度 电子浓度ni :表示单位体积的自由电子数 空穴浓度pi :表示单位体积的空穴数。 A0—与材料有关的常数 EG—禁带宽度 T—绝对温度 K—玻尔曼常数 结论 1. 本征半导体中 电子浓度ni = 空穴浓度pi 2. 载流子的浓度与T、EG有关 ? 载流子的产生与复合 g——载流子的产生率 即每秒成对产生的电子空穴的浓度。 R——载流子的复合率 即每秒成对产生的电子空穴的浓度。 当达到动态平衡时 g=R R = r nipi 其中r—复合系数，与材料有关 本征半导体 杂质半导体 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入的三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体 掺入的五价元素如P、Se等， 形成N型半导体，也称电子型半导体 杂质半导体 ? N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 在本征半导体中掺入的五价元素如P。 价带 导带 + + + + + + + 施主能级 自由电子是多子 空穴是少子 杂质原子提供 由热激发形成 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 杂质半导体 ? P型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 在本征半导体中掺入的三价元素如B。 价带 导带 - - - - - - - 受主能级 自由电子是少子 空穴是多子 杂质原子提供 由热激发形成 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 杂质半导体 ? 杂质半导体的载流子浓度 因掺杂的浓度很小，可近似认为载流子的产生率g与复合系数保