试验95用磁阻效应测量地磁场.PDF

实验9.5 用磁阻效应测量地磁场 －5 地磁场的数值比较小，约10 T 量级，但在直流磁场测量，特别是弱磁场测量中，往往 需要知道其数值，并设法消除其影响，地磁场作为一种天然磁源，在军事、工业、医学、探 矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测量地磁场磁感应强度及 地磁场磁感应强度的水平分量和垂直分量；测量地磁场的磁倾角，从而掌握磁阻传感器的特 征及测量地磁场的一种重要方法。由于磁阻传感器体积小，灵敏度高、易安装，因而在弱磁 场测量方面有广泛应用前景。 一、实验目的 1、了解地磁场的分布； 2、了解磁阻传感器的原理； 3、掌握用磁阻传感器测量地磁场的方法； 二、实验仪器 FD-HMC-2 地磁场测量仪，亥姆霍兹线圈，磁阻传感器及角度盘，导线等。 三、实验原理 物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金 属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化；当外加磁场偏离 金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。 本实验所用得HMC1021Z 型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金（铁镍合金）制成一维磁阻 微电路集成芯片（二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场）。它利用通常的半导体 工艺，将铁镍合金薄膜附着在硅片上，如图1所示。薄膜的电阻率ρ （θ ）依赖于磁化强度 M 和电流I 方向间的夹角θ ，具有以下关系式 2 ( )  (  )cos  （1）    其中 、 分别是电流 I 平行于M 和垂直于M 时的电阻率。当沿着铁镍合金带的长   度方向通以一定的直流电流，而垂直于电流方向施加一个外界磁场时，合金带自身的阻值会 生较大的变化，利用合金带阻值这一变化，可以测量磁场大小和方向。同时制作时还在硅片 上设计了两条铝制电流带，一条是置位与复位带，该传感器遇到强磁场感应时，将产生磁畴 饱和现象，也可以用来置位或复位极性；另一条是偏置磁场带，用于产生一个偏置磁场，补 偿环境磁场中的弱磁场部分（当外加磁场较弱时，磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关 系），使磁阻传感器输出显示线性关系。 HMC1021Z 磁阻传感器是一种单边封装的磁场传感器，它能测量与管脚平行方向的磁场。 传感器由四条铁镍合金磁电阻组成一个非平衡电桥，非平衡电桥输出部分接集成运算放大 器，将信号放大输出。传感器内部结构如图2 所示。图2 中由于适当配置的四个磁电阻电流 方向不相同，当存在外界磁场时，引起电阻值变化有增有减。因而输出电压U 可以用下式 out 表示为 R   U U （2） out   b R   图1 磁阻传感器的构造示意图 图2 磁阻传感器内的惠斯通电桥 对于一定的工作电压，如U =5.00V，HMC1021Z 磁阻传感器输出电压U 与外界磁场的磁 b out 感应强度成正比关系： U U KB （3）