传感器技术与应用宋德杰电子课件第15章节传感器综合应用案例介绍.pptVIP

尚辅网 / 第15章 传感器综合应用案例介绍 15.1 问题的提出 15.2 晶体生长控制系统设计 15.3 控制系统软件设计与整合 返回主目录 15.1 问题的提出 近年来，随着半导体技术的飞速发展，现代电子技术的日益精尖，生产高质量，高性能的大直径单晶体碲锌镉（CZT）成了数万科学志士不断追求的目标。为了保证单晶生长良好，结晶颗粒大，晶格点阵均匀、排列整齐，纯度一致。需要设计一个晶体生长控制系统。其结构如图15-1所示。 图15-1 晶体生长控制系统示意图 该晶体生长控制系统可分为三个子系统，一个是炉温控制子系统；另一个是热质对流控制子系统；再一个是晶体生长速度控制子系统。下面分别介绍这三个子系统。 15.2 晶体生长控制系统设计 一、炉温控制子系统设计 图15-2 温度控制子系统示意图 为了得到这个合适的温度梯度，该电阻炉采用了三个温区结构，利用热传递原理使它形成晶体生长所需的温度场梯度。其中第一个温区的温度控制子系统结构示意图如图15-2所示。 由于各个温区要求温度在800~1300℃范围内，因被测温度高，又要求控制精确，故传感器选用了精密S型热电偶，它的测温范围是0~1600℃；温度调节执行器选用目前流行的可控硅晶闸管；温度调节控制器选用AL808系列智能调节仪表。 在这个温度控制系统中，AL808是主要部件，它的特点是采用专用微处理器、电擦除存储器、开关电源、高速16位A/D转换器和抗干扰自动恢复技术，具有给定温度设定设定功能，还具有无超调PID算法和PID自整定功能。带有RS232和RS485异步串行通信接口，便于和微机通信等。它的测控精度为±1℃，抗干扰能力强，操作简单。 二、热质对流控制子系统设计 要获得高质量的碲锌镉单晶体，必须采用合适的旋转方式才行。 目前，常用的旋转方式有矩形波、三角波和梯形波三种，其中具有正反方向旋转的梯形波最具有代表意义。它在一个周期内的旋转规律可用图15-3来描述。 图15-3 坩埚旋转波形图 其中正、反转速最大值分别为n1和n2，它们可在1—600转/分范围内任意可调。升降速时间T1、T3、T5、T7可在0—100秒内任意可调。匀速运行时间T2、T4、T6、T8可在0—200秒内任意调节。除此之外，还要求在T1、T3、T5、T7段上的速度变化均为线性。 从图15-3可以看出，只要适当选择它的各个参数数值，就可以得到多种旋转波形。例如，当T1=T3=T5=T7=0，而其他不为零时，即为矩形波旋转，当T2=T6=0，而其他不为零时，就为三角波旋转。这样考虑大大降低了设备费用，减少了程序开发的难度，提高了设备运行的可靠性。 为此设计的梯形波旋转控制系统如图15-4所示。本系统选用了松下公司的MSMA042A交流伺服电机和MSDA043A1A-2伺服驱动器。 图15-4 梯形波旋转控制系统示意图 被控对象是坩埚，执行机构是电机和减速器。根据坩埚旋转子系统的功能要求，一般电机不能满足，只有伺服电机才能担当此任。 根据本系统要求，选择速度控制方式。它的转速与控制电压关系为 N=KV (15-1) 式中：V为伺服驱动器的控制电压信号，且|V|≤10V，N为伺服电机的转速，K是一个比例常数，其数值可在交流伺服驱动器上，根据实际控制要求进行设置。 由伺服电机的特点可知，只要伺服控制器的控制电压信号像图15-3的波形那样就行。调节器由单片机和D/A转换器来实现。由于坩埚速度较小，而且不断变化，选用霍尔转速传感器进行测速。经放大、整形后送给单片机进行处理和显示。 三、晶体生长速度控制子系统设计 图15-5 籽晶垂直下降控制系统示意图 晶体生长质量优劣的关键是合理的控制其穿过结晶温度的速度，速度不能太快。为了保证下降速度符合晶体生长要求，选用光栅尺传感器对坩埚的下降速度进行检测。该系统系统结构示意图如图15-5所示。 其中谐波减速器、滚珠丝杠是高精密、高效率设备，在晶体生长过程中占主导地位，它具有运行平稳，启动时无颤振，低速时无爬行，而且寿命长，磨损小等优点。 该系统控制原理如下，测速机将电机的实际转速n测量出来，并转换成相应的电压u，然后与给定电压ur相比较得到偏差信号e，即e=ur–u。将输出信号e放大成ua后去控制电机带动谐波减速器和滚珠丝杠旋转，滚珠丝杠把丝杠的旋