单片机原理，接口及应用---第8章 单片机典型外围接口技术.ppt

单片机原理、接口及应用---嵌入式系统技术基础 第8章 单片机典型外围接口技术 输出口的隔离 在单片机应用系统中，为防止现场强电磁的干扰或工频电压通过输出通道反串到测控系统，一般采用通道隔离技术。 输出通道的隔离最常用的组件是光耦合器，简称光耦。 光电耦合器的输入侧都是发光二极管，但是输出侧有多种结构，如光敏晶体管、达林顿型晶体管、TTL逻辑电路以及光敏可控硅等。 光信号作用在光敏三极管基极光电流使三极管导通，输出电信号 光电耦合器在传输脉冲信号时，对不同结构的光电耦合器的输入输出延迟时间相差很大。 图12-4是使用4N25的光电耦合器接口电路图。 （高速光耦） 1.1 MCS-51片内I/O口的驱动能力 工业生产现场，控制对象是电磁继电器、电磁开关或可控硅、固态继电器和功率电子开关。 能否用MCS-51片内的I/O口直接驱动它们呢？ P0、P1、P2、P3四个口都可做输出口，但其驱动能力不同。 P0口的驱动能力较大，当其输出高电平时，可提供400?A的电流；当其输出低电平（0.45V）时，则可提供3.2mA的灌电流，如低电平允许提高，灌电流可相应加大。 P1、P2、P3口的每一位只能驱动4个LSTTL，即可提供的电流只有P0口的一半。 所以，任何一个口要想获得较大的驱动能力，只能用低电平输出。8031通常要用P0、P2口作访问外部存储器用，所以只能用P1、P3口作输出口。P1、P3口的驱动能力有限，在低电平输出时，一般也只能提供不到2mA的灌电流，通常要加总线驱动器或其它驱动电路。 1.2继电器输出接口 不同的继电器，允许驱动电流也不一样。对于需要较大驱动电流的继电器，可以采用达林顿输出的光耦直接驱动；也可以在光耦与继电器之间再加一级三极管驱动。 由于继电器的控制线圈有一定的电感，在关断瞬间会产生较大的反电势，因此在继电器的线圈上常常反向并联一个二极管用于电感反向放电，以保护驱动晶体管不被击穿。 2.3 MCS-51与晶闸管的接口 1. 单向晶闸管 晶闸管习惯上称可控硅（整流元件），英文名为Silicon Controlled Rectifier，简写成SCR，这是一种大功率半导体器件，它既有单向导电的整流作用，又有可以控制的开关作用。利用它可用较小的功率控制较大的功率。在交、直流电动机调速系统、调功系统、随动系统和无触点开关等方面均获得广泛的应用，如下图示，有三个电极：阳极A、阴极C、控制极（门极）G。 当其两端加上正向电压而控制极不加电压时，晶闸管并不导通，正向电流很小，处于正向阻断状态；当加上正向电压，且控制极上（与阴极间）也加上一正向电压时，晶闸管便进入导通状态，这时管压降很小（1V左右）。这时即使控制电压消失，仍能保持导通状态，所以控制电压没有必要一直存在，通常采用脉冲形式，以降低触发功耗。它不具有自关断能力，要切断负载电流，只有使阳极电流减小到维持电流以下，或加上反向电压实现关断。若在交流回路中应用，当电流过零和进入负半周时，自动关断，为了使其再次导通，必须重加控制信号。 2. 双向晶闸管 晶闸管应用于交流电路控制时，如图12-10所示。 采用两个器件反并联，以保证电流能沿正反两个方向流通。 如把两只反并联的SCR制作在同一片硅片上，便构成双向可控硅，控制极共用一个，使电路大大简化，其特性如下： ①控制极G上无信号时，A1、A2之间呈高阻抗，管子截止。 ②VA1A2＞1.5V时，不论极性如何，便可利用G触发电流控制其导通。 ③工作于交流时，当每一半周交替时，纯阻负载一般能恢复截止；但在感性负载情况下，电流相位滞后于电压，电流过零，可能反向电压超过转折电压，使管子反向导通。所以，要求管子能承受这种反向电压，而且一般要加RC吸收回路。 ④A1、A2可调换使用，触发极性可正可负，但触发电流有差异。 双向晶闸管具有双向导通功能，能在交流、大电流场合使用，且开关无触点，因此在工业控制领域有着极为广泛的应用。 3.光耦合双向可控硅驱动器 传统的双向晶闸管隔离驱动电路的设计，是采用一般的光隔离器和三极管驱动电路。现在已有与之配套的光隔离器产品。这种器件称为光耦合双向晶闸管驱动器，与一般的光耦不同，在于其输出部分是一硅光敏双向晶闸管 有的型号的光耦合双向可控硅驱动器还带有过零检测器，以保证在电压为零（接近于零）时才触发可控硅导通，如MOC3030/31/32（用于115V交流），MOC3040/41（用于220V交流）。图12-12为这类光耦驱动器与双向可控硅的典型电路。 在使用晶闸管的控制电路中，常要求晶闸管在电源电压为零或刚过零时触发晶闸管，来减少晶闸管在导通时对电源的影响。这种触发方式称为过零触发。过零触发需要过零检测电路，有些光电耦合器内部含有过零检测电路，如MOC30