第2讲-电力电子器件.ppt

第二讲晶闸管的结构及特性 1-* 第1章 电力电子器件 本次课主要学习内容： 电力电子器件的概念、特点和分类。（补充内容） 晶闸管的工作原理、基本特性。（P4～P10） 1-* 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1）概念: 电力电子器件（Power Electronic Device） ——可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路（Main Power Circuit） ——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2）分类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管) 半导体器件 (采用的主要材料硅）仍然 1-* 电力电子器件 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。 1-* 3）同处理信息的电子器件相比的一般特征： 1.1.1 电力电子器件的概念和特征 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 1-* 主要损耗 通态损耗 断态损耗 开关损耗 关断损耗 开通损耗 电力电子器件的损耗 1.1.2 应用电力电子器件系统组成 1-* 电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 控 制 电 路 检测 电路 驱动 电路 R L 主电路 V 1 V 2 保护电路 在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行 电气隔离 控制电路 1.1.3 电力电子器件的分类 半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件（IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 1-* 按照器件能够被控制的程度，分为以下三类： 1.2 半控器件—晶闸管 1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。 1-* 晶闸管（Thyristor）：又名晶体闸流管或可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR） 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个引出电极。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 1-* 图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 常用晶闸管的结构 1-* 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 式中?1和?2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得 ： 1-* 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 按晶体管的工作原理 ，得： （1-2） （1-1） （1-3） （1-4） （1-5） 先看动画 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 在低发射极电流下? 是很小的，而当发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 阻断状态：IG=0，?1+?2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。 开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。 1-* 1.2.1 晶闸管的结构与工作原理 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT）。 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 1-* 其他几种可能导通的情况： 1.2.2 晶闸管的基本特性 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向