锗表面清洗和钝化方法研究论文.docVIP

锗表面清洗和钝化方法研究 摘要 Ge的电子和空穴迁移率比Si高2-4倍，Ge作为沟道材料可实现高迁移率电子器件。但是锗没有像硅那样拥有比较稳定的二氧化硅薄膜氧化层，锗的氧化物都很不稳定，易溶于水，不能作为锗的保护层。高k介质材料的采用可以很好的弥补锗的这一缺陷，来充当锗的保护层。然而高k介质（如HfO2）与锗界面往往会与中间层如GeOx，产生严重的界面态，从而影响电子迁移率，降低了晶体管的性能。因此我们需要研究锗表面钝化。此外硅成熟的清洗工艺不能用于锗材料,本文对比了采用盐酸与氢氟酸清洗锗的效果。并用硫化退火的方法对锗表面的钝化进行了研究。 关键词：锗 清洗 钝化 Abstract The electron and hole mobility of Ge is 2-4 times higher than Si. As channel material Ge can be realized as a high mobility rate of electronic devices. But germanium oxide is very unstable and soluble in water, so it can not be used as the protective layer of germanium. With the development of sc