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微控制器系统及接口技术 3学分 理论32学时 实验16学时 3.3 E2PROM存储系统的实现 E2PROM芯片可用来存储系统中要求掉电不丢的数据，下图为常见的存储器分类，其中E2PROM属于电擦写只读存储器 下面介绍一下几种常见只读存储器的特点。 EPROM：能够重复编程；光擦除，整片一起擦除；写入数据的字节数无限制；用编程器编程。 E2PROM：能够重复编程；电擦除，在写入的同时擦除；字节与页（多个字节，例如64字节）的写入方式；写入包括了数据锁存与编程；编程时间10ms或更短；可在系统中编程。 Flash Memory：能够重复编程；电擦除，在写入的同时擦除；整页（多个字节，例如64字节）的写入方式；写入包括了数据锁存与编程；编程时间10ms或更短；可在系统编程。 这些只读存储器的接口要么是并行接口，要么是串行接口 例如，AT28C256（一种E2PROM）的管脚图如右图，MCU与它进行连接时，需要连接其地址线、数据线和控制线，从而占用了大量的MCU端口，一次可读写一个字节。 由于并行接口需要占有大量的MCU端口，因此在嵌入式系统中更多的使用串行接口，常用的串行接口有两种：SPI（Serial Program Interface）、I2C（Inter-Integrated Circuit）。 93系列（例如AT93C56）是常见的SPI接口的E2PROM， 24系列（例如AT24C02）是常见的I2C接口的E2PROM。 3.3.1 AT93C56的使用 管脚说明： CS：片选 SK：串行数据时钟 DI： 串行数据输入 DO：串行数据输出 GND：地 VCC：电源 ORG：存储单元组织方式选择，接高电平128×16bit，接低电平256×8bit AT93C56的特性 低电压和标准电压操作，VCC：2.7V~5.5V 用户可选择的存储单元组织方式，256×8bit或128×16bit SPI接口（SK、DI、DO）； 最大10ms的编程固化时间； 高可靠性，1百万次写，数据可保存100年。 实验板与MCU的连接方式 如下图所示（93C56的存储单元选择256×8bit）： 93C56的指令 MCU可向93C56发送指令对93C56进行读写操作， 例如MCU要向93C56发送EWEN指令，则可见如下波形，上升沿触发 用C51可编写使能函数如下： sbit AT93C56_CLK = P1^7; sbit AT93C56_CS = P1^4; sbit AT93C56_DO = P1^6; sbit AT93C56_DI = P1^5; void T93C56Click() { _nop_(); _nop_(); AT93C56_CLK = 1; _nop_(); _nop_(); AT93C56_CLK = 0; } void WriteEnable(void) { unsigned char i; AT93C56_CS = 1; _nop_(); _nop_(); //Transmit 1 0 0 1 1 X X X X X X X AT93C56_DI = 1; T93C56Click(); AT93C56_DI = 0; T93C56Click(); T93C56Click(); AT93C56_DI = 1; for(i=1; i=9; i++) T93C56Click(); AT93C56_DI = 0; AT93C56_CS = 0; } 其他指令的实现，其时序见AT93C56.pdf文件P7~9，下面给出了这些函数的函数原型， void WriteByte(unsigned char Addr,unsigned char Hi)； // Addr：E2PROM的字节地址，Hi：要写的数 unsigned char ReadByte(unsigned char Addr)； // Addr：E2PROM的字节地址 void WriteDisable(void)； //EWDS指令 void Init93C56(); // 使 CS、SK、DI均为0 下面再给出从93C56读一个字节数据，具体过程的波形图如下： unsigned char ReadByte(unsigned char Addr) { unsigned char i, result; AT93C56_CS = 1; _nop_(); _nop_(); //Transmit 1 1 0 X A7 A6 A5 A4