FeNi合金薄膜的结构和磁性.doc

Fe- Ni 合金薄膜的结构和磁性 正? 李晓红 杨 ( 兰州大学磁性材料研究所 , 兰州 730000) (2003 年 7 月 18 日收到 ;2003 年 8 月 18 日收到修改稿) 用射频磁控溅射制备了 Fe- Ni 薄膜 ,研究了薄膜成分 、溅射条件及热处理温度对薄膜结构和磁性的影响 . 通过 选择适当的溅射条件和热处理温度 ,可得到适合于磁头材料应用的高饱和磁化强度的 Fe- Ni 软磁薄膜 . 关键词 : Fe- Ni 薄膜 , 磁头材料 PACC : 7550B , 7570 , 7550S 4mm 大小的高纯 Ni 片 ,通过调整镍片的数量来调整 薄膜 的 成 分. 基 片 采 用 8mm ×8mm 单 晶 Si 基 片 ( (100) 取向) . 为了使薄膜产生单轴各向异性 ,薄膜 沉积的时候加了 410 ×103 AΠm 的磁场. 溅射条件的 变化范围如表 1 所示. 通常的溅射条件是溅射气压 0127 Pa ,溅射功率 390W ,基片与靶的距离 510cm. 薄膜的磁性由日本东英公司生产的 TOEI VSM- 5S- 15 振动 样 品 磁 强 计 ( VSM) 测 量 , 微 结 构 由 日 本 Rigaku 公司生产的 DΠMAX- RB 全自动 x 射线衍射仪 测量 ,使用的是 Cu Kα射线 ,薄膜的成分由日本日立 公司 的 Hitachi 180- 80 原 子 吸 收 光 谱 测 量 , 膜 厚 由 6JA- 780028 型干涉显微镜测量. 11 引 言 随着硬盘面密度的提高 ,记录介质的矫顽力越 来越高 ,这就要求写入磁头的磁芯材料必须有更高 的饱和磁化强度才能在记录介质上写入信息 . 常用 的坡莫合金 Ni80 Fe20 的饱和磁化强度 ( M s ) 约为 018 ×106 AΠm ,已不能满足要求. fcc 的 Fe- Ni 合金中 Ni 45 6 Fe55 具有最高 M s , 约为 1127 ×10 AΠm , 已开始代替 1 Ni80 Fe20 薄膜用于磁头 ,有很好的性能 ,但相对于其 他的软磁薄膜 , 如 Fe-M- N2 ,3 等 , 对它的研究很少 , 而且多用电镀方法制备. 多层膜作为磁性薄膜发展 的主要方向 , 多用溅射方法制备 , 而用溅射法制备 Fe- Ni 合金单层膜不但制备工艺较为简单 ,而且对于 它的深入了解可以促进各种含有 FeNi 成分的磁性 多层膜的研究 . 因此我们用溅射法制备了 Fe- Ni 薄 膜 ,研究了薄膜成分 、溅射条件以及热处理对薄膜磁 性的影响. Fe- Ni 合金软磁薄膜 ,除了做磁记录设备 中的磁头外 ,还广泛用作各类微磁器件或薄片式和 编织式电感 、微型变压器磁芯及其集成组件等4 ,5 , 因此对这些薄膜的研究有实际应用价值. 表 1 薄膜的制备条件 项目 条件 217 ×10 - 5 —513 ×10 - 5 330 —570 510 —1010 0127 —4126 水冷 ～100 本底真空/ Pa 溅射功率ΠW 基片与靶的距离Πcm 溅射气压ΠPa 基片条件 薄膜厚度Πnm 31 结果及讨论 21 实验方法 薄膜的制备 采 用 的 是 日 本 ANELVA 公 司 生 产 的 SPF- 312 型单靶平面磁控溅射台. 为了便于调整 成分 ,采用了复合靶 ,即在直径为 15314mm ,厚度为 3111 成分对 Fe2Ni 合金薄膜的结构和磁性的影响 在块 体 Fe1 - x Ni x 样 品 中 , bcc 相 只 存 在 于 x  间 ,bcc 和 fcc 相共存. 在我们所考察的成分范围中 , 镍含量从 40 at . %到 85 at . % , XRD 的结果只发现了 fcc 相 , 在薄膜镍含量为 40at . % —50at . % , 没有发现 如文献 6 ,7 所说的两种相α( bcc) 和γ(fcc) 并存的 情况. 在所做的这一成分范围 ,无论从 XRD 或是磁 3121 溅射功率对薄膜的影响 从图 2 可以看到低镍含量 (～45 %) 的铁镍合金 薄膜具有最高的饱和磁化强度 ,而且这一成分的铁 镍合金的电阻率也比通常用的含镍 81 %的坡莫合 金高一倍. 因此低镍含量的铁镍合金更适合于磁头 和高频应用. 下面我们集中研究溅射条件对这一成 分的薄膜的结构和磁性的影响. 溅射功率的影响概括于表 2 . 在这一功率范围 , 沉积速率随溅射功率近似成线性变化. 由于溅射功 率的不同会引起靶中原子溅射产额的不同 ,而不同 元素的原子其溅射产额随入射 Ar 离子能量的变化 不一样 ,所以溅射功率的变化 ,有可能使薄膜的成分 发生变化. 随