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等离子蚀刻机使用说明书
设 备 使 用 说 明 书
设备名称:等离子蚀刻设备
设备型号: KWT-200-1000FSK
北京中联科利技术股份有限公司
Beijing China United Cleaning Technology Co.,Ltd.
地址:北京市朝阳区北苑路40#
邮编:100012
电话:010传真:010目 录
一、概述……………………………………………………………………………
二、主要技术指标…………………………………………………………………
三、工作原理及结构特征…………………………………………………………
四、工艺特性及控制要点…………………………………………………………
五、使用说明……………………………………………………………………
(一)、塾悉本机资料 ……………………………………………………………
(二)、开机前的准备 ……………………………………………………………
六、操作说明 ……………………………………………………………………
七、使用注意事项…………………………………………………………………
八、简单故障与排除………………………………………………………………
九、设备机械主要图纸……………………………………………………………
十、设备电控原理图 ……………………………………………………………
一 、 概 述
1.1产品特点
KWT-200-1000FSK型等离子体刻蚀机具有占地面积小、装片容量大、生产率高等优点。同时,还具有手动/自动功能。除装卸片要人工操作外,其余过程实现了全自动,保证了工艺的准确性和重复性,大大地提高了产品质量。
1.2设计目标、设计原理
该设备主要用于太阳能电池周边掺杂硅的刻蚀,也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。
原理:等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。(这是各向同性反应)
在辉光放电条件下,
CF4→C4++4F- O2→2O2-
F+Si→SiF4 SiF4挥发性高,随即被抽走。
刻蚀过程的主要反应
放电过程
e-+CF4→CF3++F+2e e-+CF4→CF3+F+e-
e-+CF3→CF2+F+e- O2+e-→2O+e-
腐蚀过程
Si+4F→SiF4↑ 3Si+4CF3→4C+3SiF4↑ 2C+3O→CO↑+CO2↑
二、 主要技术指标
我公司研制的等离子体刻蚀机规格:
CUCKWD-SK-200
CUCKWD 中联科伟达高新转换产品
SK 等离子体蚀刻机
200 基片最大直径200㎜
2.1 刻蚀介质: 5〞、6〞 掺杂硅/氮化硅
2.2 刻蚀部位: 硅片方片周边
2.3 产能
最大装片量: 400片/批
刻蚀速率: Si3N4 50nm/min
掺杂硅 200nm/min
批处理时间:20~30min;真空系统标准配置3路工艺气体通路;
2X-15机械泵,工作压力自动控制; mbar;
工艺压强:0.5~2mbar;
设备可靠性:设备平均维修间隔时间MTBF≥500;
设备平均维修时间MTTR≤4。
3.2设备系统图
反应室采用立式结构,射频功率通过电感耦合到反应室内,同时基片采用旋转方式 真空系统采用旋片式机械泵,具有主抽和预抽两路抽气管路,既保证本底抽空的时间,又使气氛扰动减小,减少粉尘扬起,保证基片清洁 装片运行开预抽—主抽—送气—辉光—抽空—清洗—充气运行关取片
4.2工艺说明
预抽:主要通过预抽电磁阀,将反应室的空气抽走,压力保持在0.01MPa以下;
主抽:主要通过主抽电磁阀和电子执行器(微调气压装置),将反应室的气压保持在
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