硅衬底双层微带线不连续性等效电路的研究.pdfVIP

第39卷 第6期 兰 州 理 工 大 学 学 报 V01．39 No．6 2013年 12月 JournalofLanzhouUniversityofTechnology Dee．2013 文章编号：1673—5196(2013)06-0103—04 硅衬底双层微带线不连续性等效电路的研究 于正永 ，蔡文博 (1．淮安信息职业技术学院计算机与通信工程学院，江苏淮安 223003；2．南京爱立信熊猫通信有限公司，江苏南京 211100) 摘要：将原有的微带线不连续性等效电路模型移植到硅衬底双层微带线上，分析其开路端、T型接头的不连续性以 及 由其不连续性部分组成的电路组件分支线耦合器．经实例验证发现，所得等效电路模型计算结果与数值计算结 果相比，其S参量的平均误差小于2％，充分表明了所得等效电路模型的正确性和有效性． 关键词 ：硅衬底；双层微带线；不连续性；等效电路模型；开路端 中图分类号：TN811 文献标识码：A Studyofthediscontinuityequivalentcircuitofdouble-layer microstrip linewithSiliceoussubstrate YU Zheng—yong 。CAIW en—bo。 (1．SchoolofComputerandCommunicationEngineering，Huai’anCo llegeofInformationTechnology，Huai’an 223003，China；2．Nanjing EricssonPanda(二0mmunicationsCompanyLtd．，Nanjing 211100，China) Abstract：Existentequivalentcircuitmodelofdiscontinuityofmicrostriplinewastransplantedtodouble- layermicrostriplinewithSiliceoussubstrateSOastoanalyzethediscontinuityofopencircuitendsandT_ junctionsandthebranch-linecouplercomposedofpartswithvariousdiscontinuities．Itwasfoundbya practicaIexampletakenasaverificationthattheaverageerrorofS-parametersofobtainedequivalentcir— cultmodelwaslessthan2 comparedwithnumerica1results，sufficientlyshowingthattheequivalentcir— cultmodelobtainedwasvalid． Keywords：Siliceoussubstrate；double-layermicrostrip line；discontinuity；equivalentcircuitmodel； opencircuitend 射频集成电路 (RFIC)在无线通信中得到了广 续性问题[5]，后来本文作者YU又将该通用模型移 泛应用．硅作为一种低成本材料在低频段的应用较 植到偏心带状线不连续分析中l6]．本文继续研究如 为广泛，同时硅介质具有损耗特性，在设计和分析硅 何将文献1-3]的等效电路模型移植到硅衬底双层微 衬底RFIC器件以及相关集成电路的过程中应加以 带线中，并结合实例进行不连续性的分析和结果验 考虑，目前 已有人研究过有耗介质上微带线的传输 证．经对比，所得模型的计算结果与 IE3D软件仿真 特性_1]．一般来说，此类复杂的RFIC电路都是由 结果相比，平均误差小于 2 ，一致性 良好．该通用 多个不连续性部分构成的，比如开路端、阶梯变换、 等效电路模型的构建可以大幅度提高整体电路的分 间隙、拐角以及 T型接头等，因此这些不连续性部